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恭喜奧斯蘭姆奧普托半導體股份有限兩合公司彼得·揚德獲國家專利權

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龍圖騰網恭喜奧斯蘭姆奧普托半導體股份有限兩合公司申請的專利半導體激光器和半導體激光器的制造方法獲國家發(fā)明授權專利權,本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113056850B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉:該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為:201980076702.9,技術領域涉及:H01S5/0225;該發(fā)明授權半導體激光器和半導體激光器的制造方法是由彼得·揚德設計研發(fā)完成,并于2019-11-11向國家知識產權局提交的專利申請。

半導體激光器和半導體激光器的制造方法在說明書摘要公布了:在實施方式中半導體激光器1包括殼體2,其中封裝有多個激光二極管芯片31、32、33。殼體2包括蓋板23和或側壁20,蓋板和或側壁對于產生的激光輻射41、42、43是能穿過的。蓋板23和或側壁20具有帶有彼此并排布置的出射區(qū)域61、62、63的光出射面24。每個出射區(qū)域61、62、63關聯(lián)激光二極管芯片31、32、33中的恰好一個。光出射平面26布置在光出射面24下游。蓋板23和或側壁20在出射區(qū)域61、62、63中具有不同的平均厚度,使得所有激光二極管芯片31、32、33的激光輻射到光出射平面26的光學路徑長度都是相等的且具有最高為1.5的公差。

本發(fā)明授權半導體激光器和半導體激光器的制造方法在權利要求書中公布了:1.一種半導體激光器1,具有殼體2和多個激光二極管芯片31、32、33,所述激光二極管芯片封裝在所述殼體2中,其中,-所述殼體2包括蓋板23和或側壁20,所述蓋板和或所述側壁對于在運行中產生的激光輻射41、42、43是能穿過的,-所述蓋板23和或所述側壁20具有光出射面24,所述光出射面具有彼此并排布置的出射區(qū)域61、62、63,-所述出射區(qū)域61、62、63中的每一個剛好關聯(lián)所述激光二極管芯片31、32、33之一,-在光束路徑中,光出射平面26布置在所述光出射面24下游,并且-所述蓋板23和或所述側壁20在所述出射區(qū)域61、62、63中具有不同的平均厚度,使得所有所述激光二極管芯片31、32、33的所述激光輻射41、42、43的至所述光出射平面26的光學路徑長度都是相等的且具有最高為3μm的公差。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人奧斯蘭姆奧普托半導體股份有限兩合公司,其通訊地址為:德國雷根斯堡;或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服,聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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