恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司蘇祖輝獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利通過反饋控制鰭薄化獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN112309867B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:201911213456.5,技術領域涉及:H10D30/01;該發明授權通過反饋控制鰭薄化是由蘇祖輝;范純祥;王育文;葉明熙;黃國彬設計研發完成,并于2019-12-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本通過反饋控制鰭薄化在說明書摘要公布了:本公開涉及通過反饋控制鰭薄化。一種方法包括形成延伸到半導體襯底中的隔離區域。半導體條帶位于隔離區域之間。該方法還包括凹陷隔離區域,使得半導體條帶的頂部突出高于隔離區域的頂表面以形成半導體鰭,測量半導體鰭的鰭寬度,基于鰭寬度生成蝕刻方案,并使用蝕刻方案對半導體鰭執行薄化工藝。
本發明授權通過反饋控制鰭薄化在權利要求書中公布了:1.一種用于薄化半導體鰭的方法,包括:形成延伸到半導體襯底中的隔離區域,其中,第一半導體條帶位于所述隔離區域之間;使所述隔離區域凹陷,其中,所述第一半導體條帶的頂部突出高于所述隔離區域的頂表面以形成第一半導體鰭;測量所述第一半導體鰭的第一鰭寬度;基于所述第一鰭寬度生成第一蝕刻方案;以及使用所述第一蝕刻方案對所述第一半導體鰭執行第一薄化工藝,其中,生成所述第一蝕刻方案包括:確定所述第一半導體鰭的所述第一鰭寬度與目標鰭寬度之間的差異;并且基于所述差異確定所述第一薄化工藝的蝕刻時間。
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