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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利集成芯片及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112670405B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010269632.3，技術領域涉及：H10N50/10；該發明授權集成芯片及其制造方法是由張耀文;閔仲強;莊學理;王宏烵;楊宗學;曾元泰;黃勝煌;林佳樺設計研發完成，并于2020-04-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本集成芯片及其制造方法在說明書摘要公布了：一種在襯底上方包含磁阻隨機存取存儲magnetoresistiverandomaccessmemory，MRAM單元的集成芯片。介電結構上覆于襯底。磁阻隨機存取存儲單元設置在介電結構內。磁阻隨機存取存儲單元包含包夾在底部電極與頂部電極之間的磁性隧道結magnetictunneljunction，MTJ。導電線上覆于頂部電極。側壁間隔物結構沿著磁性隧道結和頂部電極的側壁不斷延伸。側壁間隔物結構包含第一側壁間隔物層、第二側壁間隔物層以及包夾在第一側壁間隔物層與第二側壁間隔物層之間的保護側壁間隔物層。第一側壁間隔物層和第二側壁間隔物層包括第一材料，保護側壁間隔物層包括與第一材料不同的第二材料。

本發明授權集成芯片及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種集成芯片，包括：介電結構，上覆于襯底；磁阻隨機存取存儲單元，設置在所述介電結構內，其中所述磁阻隨機存取存儲單元包括包夾在底部電極與頂部電極之間的磁性隧道結；導電線，上覆于所述頂部電極以及設置在所述介電結構內；頂部電極通孔，設置在所述導電線與所述頂部電極之間，其中所述頂部電極通孔的下部表面包括設置在所述頂部電極的上部表面下方的一個或多個區段；以及側壁間隔物結構，沿著所述磁性隧道結以及所述頂部電極的側壁不斷延伸，其中所述側壁間隔物結構包括第一側壁間隔物層、第二側壁間隔物層以及包夾在所述第一側壁間隔物層與所述第二側壁間隔物層之間的保護側壁間隔物層，其中所述第一側壁間隔物層以及所述第二側壁間隔物層包括第一材料，所述保護側壁間隔物層包括與所述第一材料不同的第二材料。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。