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龍圖騰網(wǎng)恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構的形成方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN113539957B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202010305046.X，技術領域涉及：H10D84/03；該發(fā)明授權半導體結構的形成方法是由單朝杰設計研發(fā)完成，并于2020-04-17向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構的形成方法，包括：提供基底；以第一預設沉積溫度在所述基底上形成非晶硅材料層，所述非晶硅材料層用于形成偽柵結構或核心層，所述第一預設沉積溫度低于非晶硅的晶化溫度；刻蝕所述非晶硅材料層，形成非晶硅層，所述非晶硅層用于作為偽柵結構或核心層。本發(fā)明通過使第一預設沉積溫度低于非晶硅的晶化溫度，能夠降低在形成非晶硅材料層的過程中非晶硅發(fā)生晶化的概率，不易使非晶硅轉化為多晶硅，相應的，后續(xù)刻蝕非晶硅材料層時，有利于提高刻蝕速率和刻蝕效果的均一性，從而減小非晶硅層的線邊緣粗糙度，其中，所述非晶硅層用于作為偽柵結構或核心層，因此，提高非晶硅層的線邊緣粗糙度，相應有利于提高半導體結構的性能。

本發(fā)明授權半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；以第一預設沉積溫度在所述基底上形成非晶硅材料層，所述非晶硅材料層用于形成偽柵結構，所述第一預設沉積溫度低于非晶硅的晶化溫度；刻蝕所述非晶硅材料層，形成非晶硅層，所述非晶硅層用于作為偽柵結構；刻蝕所述非晶硅材料層之前，所述形成方法還包括：以第三預設沉積溫度在所述非晶硅材料層上形成分立的核心層，所述第三預設沉積溫度低于非晶硅的晶化溫度；以第二預設沉積溫度在所述核心層的側壁形成掩膜側墻，所述第二預設沉積溫度低于非晶硅的晶化溫度；形成所述掩膜側墻后，去除所述核心層；刻蝕所述非晶硅材料層的步驟中，以所述掩膜側墻作為掩膜。

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