恭喜中科晶源微電子技術(北京)有限公司馬衛民獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中科晶源微電子技術(北京)有限公司申請的專利套刻對準標記、套刻誤差測量方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111522209B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010494717.1，技術領域涉及：G03F9/00；該發明授權套刻對準標記、套刻誤差測量方法是由馬衛民;韓春營;劉成成;黃守艷設計研發完成，并于2020-06-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本套刻對準標記、套刻誤差測量方法在說明書摘要公布了：提出一種位于已形成圖案的晶片中的套刻對準標記和一種套刻誤差測量方法，所述晶片具備位于其第一層中的下層圖案和位于其第一層上方的第二層中的上層圖案，所述套刻對準標記包括：第一圖案，作為所述下層圖案的一部分且包括：形成于所述第一層的一對實體特征；第二圖案，作為所述上層圖案的一部分且包括：形成于所述第二層的兩對鏤空特征，一對鏤空特征的幾何中心連線與另一對鏤空特征的幾何中心連線分別沿正交的兩方向延伸，所述一對實體特征在晶片上的正投影與所述兩對鏤空特征中的相應一對鏤空特征在晶片上的正投影至少部分地重疊。
本發明授權套刻對準標記、套刻誤差測量方法在權利要求書中公布了：1.一種位于已形成圖案的晶片中的套刻對準標記，利用已有圖案的部分圖形特征來充當所述套刻對準標記，所述晶片具備位于所述晶片的第一層中的下層圖案和位于所述晶片的第一層上方的第二層中的上層圖案，所述套刻對準標記包括：第一圖案，作為所述下層圖案的一部分且包括：形成于所述第一層的一對實體特征；第二圖案，作為所述上層圖案的一部分且包括：形成于所述第二層的兩對鏤空特征，一對鏤空特征的幾何中心連線與另一對鏤空特征的幾何中心連線分別沿正交的兩方向延伸，其中，所述一對實體特征在晶片上的正投影與所述兩對鏤空特征中的相應一對鏤空特征在晶片上的正投影至少部分地重疊。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中科晶源微電子技術(北京)有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區經海四路156號院12號樓5層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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