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龍圖騰網(wǎng)恭喜三星電子株式會(huì)社申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體裝置獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112420713B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010644361.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B41/35；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置是由樸株院;李雄燮;鄭義完;千志成設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-07-07向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體裝置在說明書摘要公布了：提供了一種半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置包括：外圍電路區(qū)域，位于第一基底上并且包括電路器件；存儲(chǔ)器單元區(qū)域，位于覆蓋在第一基底上的第二基底上，其中，存儲(chǔ)器單元區(qū)域包括在與第二基底的上表面垂直的第一方向上彼此間隔開地堆疊的柵電極；以及溝道結(jié)構(gòu)，在第二基底上豎直地延伸并且穿透柵電極。溝道結(jié)構(gòu)可以包括溝道層。半導(dǎo)體裝置包括具有貫通接觸插塞的貫通布線區(qū)域，貫通接觸插塞在第一方向上延伸并且使存儲(chǔ)器單元區(qū)域和外圍電路區(qū)域彼此電連接，其中，貫通布線區(qū)域包括圍繞貫通接觸插塞的絕緣區(qū)域。貫通布線區(qū)域還包括遍及貫通布線區(qū)域規(guī)則地布置并且包括溝道層的虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：外圍電路區(qū)域，位于第一基底上并且包括電路器件；存儲(chǔ)器單元區(qū)域，位于覆蓋在所述第一基底上的第二基底上，其中，所述存儲(chǔ)器單元區(qū)域包括在與所述第二基底的上表面垂直的第一方向上彼此間隔開的柵電極，其中，所述存儲(chǔ)器單元區(qū)域包括穿透所述柵電極且豎直地延伸到所述第二基底的溝道結(jié)構(gòu)，其中，所述溝道結(jié)構(gòu)包括溝道層；以及貫通布線區(qū)域，使所述存儲(chǔ)器單元區(qū)域和所述外圍電路區(qū)域電連接，其中，所述貫通布線區(qū)域包括：貫通接觸插塞，在所述第一方向上延伸以穿透所述存儲(chǔ)器單元區(qū)域，其中，所述貫通接觸插塞使所述存儲(chǔ)器單元區(qū)域和所述電路器件電連接；絕緣區(qū)域，圍繞所述貫通接觸插塞，其中，所述絕緣區(qū)域包括交替地堆疊的第一絕緣層和第二絕緣層；以及虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)，穿透所述第一絕緣層和所述第二絕緣層，其中，所述虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)包括所述溝道層，其中，所述虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)按行和列布置，使得至少一個(gè)虛設(shè)溝道結(jié)構(gòu)定位在彼此相鄰的貫通接觸插塞之間。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人三星電子株式會(huì)社，其通訊地址為：韓國(guó)京畿道水原市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。