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龍圖騰網恭喜三星電子株式會社申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112420713B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010644361.5，技術領域涉及：H10B41/35；該發明授權半導體裝置是由樸株院;李雄燮;鄭義完;千志成設計研發完成，并于2020-07-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置在說明書摘要公布了：提供了一種半導體裝置。所述半導體裝置包括：外圍電路區域，位于第一基底上并且包括電路器件；存儲器單元區域，位于覆蓋在第一基底上的第二基底上，其中，存儲器單元區域包括在與第二基底的上表面垂直的第一方向上彼此間隔開地堆疊的柵電極；以及溝道結構，在第二基底上豎直地延伸并且穿透柵電極。溝道結構可以包括溝道層。半導體裝置包括具有貫通接觸插塞的貫通布線區域，貫通接觸插塞在第一方向上延伸并且使存儲器單元區域和外圍電路區域彼此電連接，其中，貫通布線區域包括圍繞貫通接觸插塞的絕緣區域。貫通布線區域還包括遍及貫通布線區域規則地布置并且包括溝道層的虛設溝道結構。

本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：外圍電路區域，位于第一基底上并且包括電路器件；存儲器單元區域，位于覆蓋在所述第一基底上的第二基底上，其中，所述存儲器單元區域包括在與所述第二基底的上表面垂直的第一方向上彼此間隔開的柵電極，其中，所述存儲器單元區域包括穿透所述柵電極且豎直地延伸到所述第二基底的溝道結構，其中，所述溝道結構包括溝道層；以及貫通布線區域，使所述存儲器單元區域和所述外圍電路區域電連接，其中，所述貫通布線區域包括：貫通接觸插塞，在所述第一方向上延伸以穿透所述存儲器單元區域，其中，所述貫通接觸插塞使所述存儲器單元區域和所述電路器件電連接；絕緣區域，圍繞所述貫通接觸插塞，其中，所述絕緣區域包括交替地堆疊的第一絕緣層和第二絕緣層；以及虛設溝道結構，穿透所述第一絕緣層和所述第二絕緣層，其中，所述虛設溝道結構包括所述溝道層，其中，所述虛設溝道結構按行和列布置，使得至少一個虛設溝道結構定位在彼此相鄰的貫通接觸插塞之間。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道水原市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。