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龍圖騰網恭喜三星電子株式會社申請的專利半導體存儲器裝置及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112713147B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010672660.X，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權半導體存儲器裝置及其制造方法是由金碩炫;姜準泳;金永埈;樸晉亨;宋昊柱;李尚俊;李蕙蘭;金奉秀;金成禹設計研發完成，并于2020-07-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體存儲器裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：提供了一種半導體存儲器裝置及其制造方法。所述半導體存儲器裝置包括：基底，包括單元陣列區域和邊界區域；第一凹陷區域，在基底的位于單元陣列區域中的上部處；第一位線，延伸到邊界區域上并且與第一凹陷區域交叉；位線接觸件，在第一凹陷區域中并且接觸第一位線；第二位線，與第一凹陷區域間隔開并且與第一位線相鄰，第二位線與單元陣列區域和邊界區域交叉；單元掩埋絕緣圖案，在第一位線接觸件的側表面與第一凹陷區域的內壁之間；以及邊界掩埋絕緣圖案，覆蓋邊界區域中的第一位線和第二位線的側壁并且包括與單元掩埋絕緣圖案的材料相同的材料。

本發明授權半導體存儲器裝置及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置包括：基底，包括單元陣列區域和邊界區域；第一凹陷區域，設置在基底的位于單元陣列區域中的上部處；第一位線，延伸到邊界區域上并且與第一凹陷區域交叉；位線接觸件，設置在第一凹陷區域中并且接觸第一位線；第二位線，與第一凹陷區域間隔開并且與第一位線相鄰，第二位線與單元陣列區域和邊界區域交叉；位線間隔件，覆蓋單元陣列區域中的第一位線的側壁；單元掩埋絕緣圖案，置于位線接觸件的側表面與第一凹陷區域的內壁之間；邊界掩埋絕緣圖案，在邊界區域中覆蓋第一位線和第二位線的側壁并且包括與單元掩埋絕緣圖案的材料相同的材料；單元絕緣襯墊，置于單元掩埋絕緣圖案與第一凹陷區域的內壁之間以及單元掩埋絕緣圖案與位線接觸件的側壁之間；邊界絕緣襯墊，置于邊界掩埋絕緣圖案與第一位線之間；以及第一殘留間隔件圖案，在邊界區域中位于第一位線與第二位線之間并且形成位線間隔件的部分，其中，邊界掩埋絕緣圖案設置在邊界區域中的第一位線與第一殘留間隔件圖案之間以及邊界區域中的第二位線與第一殘留間隔件圖案之間。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道水原市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。