恭喜武漢華星光電半導體顯示技術有限公司白思航獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜武漢華星光電半導體顯示技術有限公司申請的專利一種薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111785740B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010693491.8，技術領域涉及：H10D86/60；該發明授權一種薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置是由白思航設計研發完成，并于2020-07-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置在說明書摘要公布了：本發明公開了一種薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置，所述薄膜晶體管陣列基板包括兩種不同的半導體材料形成的第一半導體層和第二半導體層，與第一半導體層重疊設置的第一柵極電極和導電性層，與第二半導體層重疊設置的第二柵極電極和第三柵極電極，以及設置在第二半導體層與第二柵極電極之間的中間絕緣層。通過對薄膜晶體管陣列基板的膜層結構和成型工藝進行優化，使得制程時間縮短，節約了制造成本，并降低了膜層厚度，提高陣列基板的柔性彎折性能。
本發明授權一種薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置在權利要求書中公布了：1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，包括：第一半導體層；覆蓋所述第一半導體層的第一柵極絕緣層；設置在所述第一柵極絕緣層上并與所述第一半導體層重疊的第一柵極電極；覆蓋所述第一柵極電極的第二柵極絕緣層；設置在所述第二柵極絕緣層上并同層布置的導電層和第二柵極電極；中間絕緣層，覆蓋所述導電層和所述第二柵極電極；設置在所述中間絕緣層上的第二半導體層，所述第二半導體層與所述第二柵極電極重疊；覆蓋所述第二半導體層的第三柵極絕緣層，設置在所述第三柵極絕緣層上并與所述第二半導體層重疊的第三柵極電極；其中，所述第一半導體層與所述第二半導體層為不同材料的半導體層，所述中間絕緣層包括氧化物絕緣層以及氮化物絕緣層，所述氮化物絕緣層位于所述氧化物絕緣層下方，所述氮化物絕緣層中氫含量≥10％且≤15％，所述第二柵極絕緣層中氫含量大于15％。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人武漢華星光電半導體顯示技術有限公司，其通訊地址為：430079 湖北省武漢市東湖新技術開發區高新大道666號光谷生物創新園C5棟305室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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