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龍圖騰網恭喜臺積電(南京)有限公司;臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114067863B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011082943.5，技術領域涉及：G11C7/10；該發明授權半導體器件及其制造方法是由線懷鑫;周陽;孟慶超設計研發完成，并于2020-10-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及半導體器件及其制造方法。一種器件包括彼此耦合的主鎖存器、從鎖存器和保持鎖存器。保持鎖存器包括第一有源區域和第二有源區域、第一柵極結構和第二柵極結構。第一有源區域和第二有源區域在第一方向上延伸。第一柵極結構在第二方向上延伸，第一柵極結構包括彼此分離的第一部分和第二部分。第一部分布置在第一有源區域之上，并且第二部分布置在第二有源區域之上。第二柵極結構在第二方向上延伸，并布置在第一有源區域之上。在布局圖中，第二柵極結構與第二有源區域和第一柵極結構分離。第二有源區域的端部部分在第一柵極結構和第二柵極結構之間。

本發明授權半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括：主鎖存器；從鎖存器，耦合至所述主鎖存器；以及保持鎖存器，耦合至所述主鎖存器和所述從鎖存器，并且包括：第一有源區域，在第一方向上延伸；第二有源區域，在所述第一方向上延伸；第一柵極結構，在與所述第一方向不同的第二方向上延伸，所述第一柵極結構包括彼此分離的第一部分和第二部分，其中，所述第一部分布置在所述第一有源區域之上，并且所述第二部分布置在所述第二有源區域之上；以及第二柵極結構，在所述第二方向上延伸，并且布置在所述第一有源區域之上，其中，在布局圖中，所述第二柵極結構與所述第二有源區域和所述第一柵極結構分離，其中，所述第二有源區域的端部部分在所述第一柵極結構和所述第二柵極結構之間。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺積電(南京)有限公司;臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：211806 江蘇省南京市浦口經濟開發區紫峰路16號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。