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龍圖騰網恭喜戴森技術有限公司申請的專利用于將靶材料濺射沉積到基底的方法和設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114868224B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080089400.8，技術領域涉及：H01J37/32；該發明授權用于將靶材料濺射沉積到基底的方法和設備是由M.倫達爾;R.格魯亞設計研發完成，并于2020-11-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于將靶材料濺射沉積到基底的方法和設備在說明書摘要公布了：公開了一種用于將靶材料濺射沉積到基底的設備。在一種形式中，該設備包括在使用中在其中提供基底的基底部分和在使用中在其中提供靶材料的靶部分。靶部分和基底部分在它們之間限定沉積區。該設備包括在使用中用于產生等離子體的天線裝置和限制裝置。限制裝置包括天線裝置和沉積區之間的第一元件以及第二元件。天線裝置位于第二元件和沉積區之間。第一元件在使用中將等離子體限制成朝向沉積區，以提供靶材料到基底的濺射沉積。第二元件在使用中將等離子體限制成遠離第二元件，朝向天線裝置，并且經由第一元件朝向沉積區。

本發明授權用于將靶材料濺射沉積到基底的方法和設備在權利要求書中公布了：1.一種用于將靶材料濺射沉積到基底的設備，該設備包括：基底部分，在使用中在基底部分中提供基底；靶部分，其與基底部分隔開并且在使用中在靶部分中提供靶材料，靶部分和基底部分在它們之間限定沉積區；天線裝置，其包括至少一個天線，用于在使用中驅動交流電通過天線時產生等離子體；限制裝置，包括：至少一個第一元件，其設置在天線裝置和沉積區之間，并且布置成在使用中將來自天線裝置的等離子體限制成朝向沉積區，從而在使用中提供靶材料到基底的濺射沉積；以及至少一個第二元件，其設置成使得天線裝置位于至少一個第二元件和沉積區之間，并且布置成在使用中將等離子體限制成遠離第二元件，朝向天線裝置，并且由此經由至少一個第一元件朝向沉積區，其中，至少一個所述第二元件是靜電元件，其可控制為提供電場，以至少在所述第一元件和第二元件中間的體積中將至少一部分等離子體從靜電元件朝向所述天線裝置排斥，并由此經由第一元件朝向所述沉積區排斥。

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