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龍圖騰網(wǎng)恭喜三星電子株式會(huì)社申請(qǐng)的專(zhuān)利半導(dǎo)體器件獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112951823B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202011274769.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/80；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件是由尹承燦;韓東煥設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-11-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體器件在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：一種半導(dǎo)體器件包括：第一結(jié)構(gòu)，第一結(jié)構(gòu)包括：第一半導(dǎo)體圖案，從襯底突出，第一半導(dǎo)體圖案是溝道；第一導(dǎo)電圖案，圍繞第一半導(dǎo)體圖案，第一導(dǎo)電圖案是柵電極；第一雜質(zhì)區(qū)，位于第一半導(dǎo)體圖案下方，第一雜質(zhì)區(qū)接觸第一半導(dǎo)體圖案，第一雜質(zhì)區(qū)為源極區(qū)或漏極區(qū)；以及第二雜質(zhì)區(qū)，接觸第一半導(dǎo)體圖案，第二雜質(zhì)區(qū)是源極區(qū)或漏極區(qū)中的另一個(gè)；以及第二結(jié)構(gòu)，第二結(jié)構(gòu)包括：彼此間隔開(kāi)的第二半導(dǎo)體圖案，第二半導(dǎo)體圖案中的每一個(gè)從襯底突出；第二導(dǎo)電圖案，分別圍繞第二半導(dǎo)體圖案；以及第一接觸插塞，連接到第二導(dǎo)電圖案，其中，第一結(jié)構(gòu)是vfet，并且第二結(jié)構(gòu)包括電阻器或電容器。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，包括：第一結(jié)構(gòu)，包括：第一半導(dǎo)體圖案，在垂直于襯底的上表面的豎直方向上從所述襯底突出，所述第一半導(dǎo)體圖案是溝道；第一導(dǎo)電圖案，圍繞所述第一半導(dǎo)體圖案的上側(cè)壁并且不覆蓋所述第一半導(dǎo)體圖案的上表面，所述第一導(dǎo)電圖案是柵電極；第一下雜質(zhì)區(qū)，在所述第一半導(dǎo)體圖案下方位于所述襯底的上部，所述第一下雜質(zhì)區(qū)接觸所述第一半導(dǎo)體圖案的下表面，所述第一下雜質(zhì)區(qū)為源極區(qū)或漏極區(qū)；以及第一上雜質(zhì)區(qū)，接觸所述第一半導(dǎo)體圖案的上表面，所述第一上雜質(zhì)區(qū)是所述源極區(qū)或所述漏極區(qū)中的另一個(gè)；以及第二結(jié)構(gòu)，包括：第二半導(dǎo)體圖案，在與所述襯底的上表面平行的水平方向上彼此間隔開(kāi)，所述第二半導(dǎo)體圖案中的每個(gè)第二半導(dǎo)體圖案在所述豎直方向上從所述襯底突出，所述第二半導(dǎo)體圖案中的每個(gè)第二半導(dǎo)體圖案沿與所述襯底的上表面平行的第一方向延伸，并且所述第二半導(dǎo)體圖案在與所述襯底的上表面平行且與所述第一方向交叉的第二方向上彼此間隔開(kāi)；第二導(dǎo)電圖案，分別圍繞所述第二半導(dǎo)體圖案的上側(cè)壁，并且不覆蓋所述第二半導(dǎo)體圖案的上表面；連接圖案，在所述襯底上，所述連接圖案將所述第二導(dǎo)電圖案彼此連接并且包括與所述第二導(dǎo)電圖案基本相同的材料；以及第一接觸插塞，電連接到所述第二導(dǎo)電圖案，其中，所述第一結(jié)構(gòu)是豎直場(chǎng)效應(yīng)晶體管vfet，所述第二結(jié)構(gòu)包括電阻器或電容器，并且其中，所述連接圖案在所述第一方向上的最大寬度小于所述第二導(dǎo)電圖案中的每個(gè)第二導(dǎo)電圖案在所述第一方向上的相對(duì)端之間的最大距離。

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