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龍圖騰網(wǎng)恭喜華芯半導(dǎo)體研究院(北京)有限公司;華芯半導(dǎo)體科技有限公司申請的專利具有透鏡結(jié)構(gòu)的VCSEL芯片及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112448268B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011328645.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01S5/183；該發(fā)明授權(quán)具有透鏡結(jié)構(gòu)的VCSEL芯片及其制備方法是由趙風(fēng)春;王青;張楊;李軍;堯舜;單杰;王光輝設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-11-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本具有透鏡結(jié)構(gòu)的VCSEL芯片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了具有透鏡結(jié)構(gòu)的VCSEL芯片及其制備方法，所述VCSEL芯片包括GaAs襯底；在所述GaAs襯底上依次生長的NDBR層、MQW層、氧化層、PDBR層和P接觸層；設(shè)置在所述出光孔區(qū)域的所述P接觸層上的P電極；設(shè)置在所述GaAs襯底靠近所述NDBR層的表面上的N電極；設(shè)置在所述VCSEL芯片的至少部分表面上的SIN鈍化層；設(shè)置在所述出光孔區(qū)域的所述SIN鈍化層的表面上的透鏡。本發(fā)明不僅可以有效降低VCSEL芯片的發(fā)散角，同時還可以有效保護(hù)出光腔面，從而保證VCSEL芯片具有良好的外觀。

本發(fā)明授權(quán)具有透鏡結(jié)構(gòu)的VCSEL芯片及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種具有透鏡結(jié)構(gòu)的VCSEL芯片，其特征在于，包括：GaAs襯底；在所述GaAs襯底上依次生長的NDBR層、MQW層、氧化層、PDBR層和P接觸層；所述氧化層包括第一氧化層和第二氧化層，所述第一氧化層對應(yīng)出光孔區(qū)域，所述第二氧化層設(shè)置在所述出光孔區(qū)域的兩側(cè)；P電極，所述P電極設(shè)置在所述出光孔區(qū)域的所述P接觸層上；N電極，所述N電極設(shè)置在所述GaAs襯底靠近所述NDBR層的表面上；SIN鈍化層，所述SIN鈍化層設(shè)置在所述VCSEL芯片的至少部分表面上；透鏡，所述透鏡設(shè)置在所述出光孔區(qū)域的所述SIN鈍化層的表面，且所述透鏡完全覆蓋所述出光孔區(qū)域；所述透鏡的材料為光敏聚酰亞胺膠；所述透鏡所在圓的直徑為13-17μm；所述透鏡的頂部距離P接觸層的高度為6.0-6.5μm。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人華芯半導(dǎo)體研究院(北京)有限公司;華芯半導(dǎo)體科技有限公司，其通訊地址為：100020 北京市朝陽區(qū)佳匯國際中心B座1107；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。