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龍圖騰網恭喜蘇州科陽半導體有限公司申請的專利一種MEMS器件的晶圓級封裝方法及晶圓級封裝結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112624035B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011612118.1，技術領域涉及：B81C3/00；該發明授權一種MEMS器件的晶圓級封裝方法及晶圓級封裝結構是由吉萍;李永智;呂軍;金科;賴芳奇設計研發完成，并于2020-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種MEMS器件的晶圓級封裝方法及晶圓級封裝結構在說明書摘要公布了：本發明公開了一種MEMS器件的晶圓級封裝方法及晶圓級封裝結構，屬于MEMS器件的封裝技術領域。所述MEMS器件的晶圓級封裝方法包括，硅本體的端面上設有氧化硅層，在氧化硅層的端面上設置第一金屬層，第一金屬層設置在載體上；沿第二預設區的外周去除硅本體及氧化硅層的材料，使第一金屬層背離載體的端面露出；在第三預設區設置第二金屬層，第二金屬層與第一金屬層接觸連接；MEMS晶圓與第二金屬層粘接；去除載體，ASIC芯片與第一金屬層粘接，在第一金屬層上焊錫。所述MEMS器件的晶圓級封裝結構通過上述的封裝方法制成。本發明的MEMS器件的晶圓級封裝方法及晶圓級封裝結構，結構體積小，生產成本低，生產效率高。

本發明授權一種MEMS器件的晶圓級封裝方法及晶圓級封裝結構在權利要求書中公布了：1.一種MEMS器件的晶圓級封裝方法，其特征在于，包括硅本體（102）的下端面上設有氧化硅層（101），在所述氧化硅層（101）的下端面上設置第一預設區，所述第一預設區上設置第一金屬層（103），根據電路走線設計需要，在所述第一金屬層（103）上涂覆光刻膠層（104），之后進行曝光顯影，制作出匹配電路走線的光阻圖案，所述光阻圖案對應的位置為第一預設區，將帶有光阻圖案的所述第一金屬層（103）進行刻蝕，刻蝕之后去除輔助作用的所述光刻膠層（104）光阻，設置載體（106）之前還包括，在第五預設區的外周和第六預設區的外周設置第一樹脂膠層（105），所述第一樹脂層（105）通過膠水層（107）設置在載體（106）上；在所述硅本體（102）背離所述氧化硅層（101）的一端的端面上設置第二預設區，沿第二預設區的外周去除所述硅本體（102）及所述氧化硅層（101）的材料，使所述第一金屬層（103）背離所述載體（106）的端面露出；在所述硅本體（102）的所述第二預設區表面及露出的所述第一金屬層（103）的端面上設置第三預設區，在所述第三預設區設置第二金屬層（109），所述第二金屬層（109）與所述第一金屬層（103）接觸連接；在所述第二金屬層（109）上的第四預設區設置焊接凸點（111），形成帶有所述載體（106）的轉接體；MEMS晶圓（2）與所述第二金屬層（109）粘接，所述焊接凸點（111）與所述MEMS晶圓（2）上的第一導電柱一一對應設置；去除所述載體（106），所述第一樹脂層（105）設置在第五預設區和第六預設區的外周，ASIC芯片（3）與所述第一金屬層（103）粘接，所述ASIC芯片（3）上的第二導電柱（301）與所述第一金屬層（103）上的所述第五預設區連接；在所述第一金屬層（103）上的所述第六預設區焊錫，形成MEMS器件的晶圓級封裝結構（1000）。

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