買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜北京昌龍智芯半導體有限公司申請的專利一種半導體功率器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112635569B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110126880.7，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權一種半導體功率器件及其制備方法是由金宰年;葉宏倫;鐘其龍;劉崇志設計研發完成，并于2021-01-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體功率器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種半導體功率器件及其制備方法，其包括基板，所述基板正面設有外延層，背面設有漏極金屬電極；所述外延層上設有多個溝槽，所述外延層上方設有源極N+型結，所述外延層以及源極N+型結上方設有間層絕緣膜；所述間層絕緣膜上設有源極金屬電極和柵極金屬電極；所述源極金屬電極穿過間隔絕緣膜和源極N+型結后與第一溝槽和第三溝槽內的硅酸乙酯接觸；所述柵極電極穿過間層絕緣膜與第四溝槽內多晶態柵極接觸。本發明制備TDMOS器件時，器件尺寸較小，減小n型柱區域的尺寸，有利于降低器件的通態電阻。

本發明授權一種半導體功率器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體功率器件，其特征在于：包括基板，所述基板正面設有外延層，背面設有漏極金屬電極；所述外延層上設有第一溝槽、第二溝槽、第三溝槽、第四溝槽和第五溝槽，所述第二溝槽位于第一溝槽和第三溝槽之間，所述第三溝槽位于第二溝槽與第四溝槽之前，所述第四溝槽位于第三溝槽和第五溝槽之間；所述第二溝槽和第四溝槽外周設有P-型井，內側壁設有柵極氧化膜，內部填充有多晶態柵極；所述第四溝槽內的多晶態柵極從第四溝槽延伸至第四溝槽外并位于外延層上方；所述第一溝槽、第三溝槽和第五溝槽的外周設有P+型區域和P型柱區域，所述P+型區域位于溝槽上部，所述P型柱區域位于溝槽下部；所述第一溝槽、第三溝槽和第五溝槽內側壁設有摻雜質外延膜，內部填充有硅酸乙酯，形成TEOS膜；所述第一溝槽和第二溝槽之前形成N型柱區域；所述外延層上方設有源極N+型結，所述外延層以及源極N+型結上方設有間層絕緣膜；所述間層絕緣膜上設有源極金屬電極和柵極金屬電極；所述源極金屬電極穿過間隔絕緣膜和源極N+型結后與第一溝槽和第三溝槽內的TEOS膜接觸；所述柵極金屬電極穿過間層絕緣膜與第四溝槽內多晶態柵極接觸。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京昌龍智芯半導體有限公司，其通訊地址為：101300 北京市順義區文化營村北(順創二路1號)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。