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恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司邱奕正獲國家專利權

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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113571520B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110475581.4,技術領域涉及:H10D84/85;該發明授權半導體器件及其制造方法是由邱奕正;林天聲;許勝福;李陳毅;鐘久華設計研發完成,并于2021-04-29向國家知識產權局提交的專利申請。

半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了:提供一種半導體器件及其制造方法。所述半導體器件具有位于襯底中的源極區及漏極區、柵極結構以及金屬線。源極區在襯底中環繞漏極區。柵極結構設置在襯底上,且設置在源極區與漏極區之間。柵極結構環繞漏極區。金屬線位于源極區及漏極區以及柵極結構上方且電連接到漏極區或源極區。源極區包括摻雜區,所述摻雜區具有位于所述摻雜區的兩個相對端部之間的斷開區。金屬線從漏極區延伸、跨越柵極結構且跨越斷開區并超過源極區。

本發明授權半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了:1.一種半導體器件,包括:漏極區,位于襯底中;源極區,位于所述襯底中,環繞所述漏極區;柵極結構,設置在所述襯底上,設置在所述源極區與所述漏極區之間且環繞所述漏極區;以及金屬線,位于所述源極區及所述漏極區以及所述柵極結構上方且電連接到所述漏極區或所述源極區,其中所述源極區包括摻雜區,所述摻雜區具有位于所述摻雜區的兩個相對端部之間的斷開區;并且其中所述金屬線從所述漏極區延伸、跨越所述柵極結構且跨越所述斷開區并超過所述源極區。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司,其通訊地址為:中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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