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龍圖騰網(wǎng)獲悉武漢天馬微電子有限公司申請(qǐng)的專利薄膜晶體管基板及薄膜晶體管基板的制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114267684B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111080939.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D86/60；該發(fā)明授權(quán)薄膜晶體管基板及薄膜晶體管基板的制造方法是由田中淳設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-09-15向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本薄膜晶體管基板及薄膜晶體管基板的制造方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明涉及薄膜晶體管基板及薄膜晶體管基板的制造方法。第一薄膜晶體管包括多晶硅膜。第二薄膜晶體管包括氧化物半導(dǎo)體膜。第一絕緣膜位于多晶硅膜和氧化物半導(dǎo)體膜上方。第一絕緣膜與氧化物半導(dǎo)體膜接觸并覆蓋多晶硅膜的至少一部分和氧化物半導(dǎo)體膜的至少一部分。第二絕緣膜位于第一絕緣膜上方并且包括比第一絕緣膜的氫濃度更高濃度的氫。第一絕緣膜包括第一部分和第二部分。第一部分包括覆蓋多晶硅膜的所述至少一部分的部分。第二部分包括覆蓋氧化物半導(dǎo)體膜的所述至少一部分的部分。第一部分比第二部分薄。

本發(fā)明授權(quán)薄膜晶體管基板及薄膜晶體管基板的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種薄膜晶體管基板，包括：絕緣基板；第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管設(shè)置在所述絕緣基板上并包括作為活性膜的多晶硅膜；第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管設(shè)置在所述絕緣基板上并包括位于所述多晶硅膜上方的作為活性膜的氧化物半導(dǎo)體膜；第一絕緣膜，所述第一絕緣膜位于所述多晶硅膜和所述氧化物半導(dǎo)體膜上方，所述第一絕緣膜與所述氧化物半導(dǎo)體膜接觸并且在層疊方向上觀察時(shí)覆蓋所述多晶硅膜的至少一部分和所述氧化物半導(dǎo)體膜的至少一部分；以及第二絕緣膜，所述第二絕緣膜位于所述第一絕緣膜上方，并且所述第二絕緣膜在所述層疊方向上觀察時(shí)覆蓋所述多晶硅膜的所述至少一部分和所述氧化物半導(dǎo)體膜的所述至少一部分并且包含比所述第一絕緣膜中的氫濃度更高濃度的氫，其中，所述第一絕緣膜包括第一部分和第二部分，其中，所述第一部分包括覆蓋所述多晶硅膜的所述至少一部分的部分，其中，所述第二部分包括覆蓋所述氧化物半導(dǎo)體膜的所述至少一部分的部分，并且其中，所述第一部分比所述第二部分薄。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人武漢天馬微電子有限公司，其通訊地址為：430205 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)流芳園橫路8號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。