恭喜蘇州海發智能技術有限公司趙啟濤獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜蘇州海發智能技術有限公司申請的專利一種硅基CMOS熒光氧傳感器及其檢測方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114113014B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111385737.6，技術領域涉及：G01N21/64；該發明授權一種硅基CMOS熒光氧傳感器及其檢測方法是由趙啟濤設計研發完成，并于2021-11-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種硅基CMOS熒光氧傳感器及其檢測方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種硅基CMOS熒光氧傳感器及其檢測方法，硅基CMOS熒光氧傳感器包括光源、硅基CMOS驅動器、微控制器模塊和通信模塊；硅基CMOS驅動器上設置有陣列排布的金屬陽極和檢測元件，且金屬陽極的陣列與檢測元件的陣列交錯設置；光源構造為沉積于金屬陽極上的具有自主發光性能的OLED薄膜層，OLED薄膜層上沉積有公共透明陰極；透明陰極外封裝有透明玻璃板，外面鍍有熒光傳感膜層。本發明還公開了應用上述熒光氧傳感器的檢測方法，本發明提供了一種低功耗、微型化、高集成度硅基CMOS光學傳感單元。
本發明授權一種硅基CMOS熒光氧傳感器及其檢測方法在權利要求書中公布了：1.一種硅基CMOS熒光氧傳感器，其特征在于，包括光源、硅基CMOS驅動器、微控制器模塊和通信模塊；所述硅基CMOS驅動器設置于集成線路板PCB背面；所述硅基CMOS驅動器上設置有陣列排布的金屬陽極和檢測元件，且所述金屬陽極的陣列與檢測元件的陣列交錯設置；所述光源構造為具有自主發光性能的OLED薄膜層，所述OLED薄膜層沉積于所述金屬陽極上；所述OLED薄膜層上沉積有公共透明陰極；所述透明陰極外封裝有透明玻璃板，所述透明玻璃板外面鍍有熒光傳感膜層；所述檢測元件構造為硅基光電二極管；所述硅基CMOS驅動器與微控制器模塊連接，所述通信模塊與所述微控制器模塊連接。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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