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龍圖騰網(wǎng)獲悉夏普株式會(huì)社申請(qǐng)的專(zhuān)利離子生成裝置以及離子遷移率分析裝置獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114624327B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202111439750.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01N27/622；該發(fā)明授權(quán)離子生成裝置以及離子遷移率分析裝置是由鴻丸翔平;久軒佳彥;新川幸治;巖松正設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-11-30向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本離子生成裝置以及離子遷移率分析裝置在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：提供一種能夠使用電子發(fā)射元件生成正離子的離子生成裝置。本發(fā)明的離子生成裝置具備：電子發(fā)射元件、對(duì)置電極以及控制部，所述電子發(fā)射元件包括：下部電極；表面電極；以及配置于所述下部電極與所述表面電極之間的中間層，所述對(duì)置電極以與所述表面電極相對(duì)的方式配置，所述控制部設(shè)置成：對(duì)所述表面電極、所述下部電極或者所述對(duì)置電極施加電壓，使得在生成正離子的正離子模式下，所述表面電極的電位高于所述下部電極的電位以及所述對(duì)置電極的電位。

本發(fā)明授權(quán)離子生成裝置以及離子遷移率分析裝置在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種離子生成裝置，其特征在于，其具備：電子發(fā)射元件、對(duì)置電極以及控制部，所述電子發(fā)射元件包括：下部電極；表面電極；以及配置于所述下部電極與所述表面電極之間的中間層，所述對(duì)置電極以與所述表面電極相對(duì)的方式配置，所述控制部設(shè)置成：對(duì)所述表面電極、所述下部電極或者所述對(duì)置電極施加電壓，使得在生成正離子的正離子模式下，所述表面電極的電位高于所述下部電極的電位以及所述對(duì)置電極的電位；所述控制部設(shè)置為對(duì)所述下部電極與所述表面電極之間施加電壓，使得在所述正離子模式下，從所述電子發(fā)射元件發(fā)射能量比所述表面電極與所述對(duì)置電極之間的氣體成分的電離能更高的電子。

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