恭喜夏普株式會社鴻丸翔平獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜夏普株式會社申請的專利離子生成裝置以及離子遷移率分析裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114624327B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111439750.5，技術領域涉及：G01N27/622；該發明授權離子生成裝置以及離子遷移率分析裝置是由鴻丸翔平;久軒佳彥;新川幸治;巖松正設計研發完成，并于2021-11-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本離子生成裝置以及離子遷移率分析裝置在說明書摘要公布了：提供一種能夠使用電子發射元件生成正離子的離子生成裝置。本發明的離子生成裝置具備：電子發射元件、對置電極以及控制部，所述電子發射元件包括：下部電極；表面電極；以及配置于所述下部電極與所述表面電極之間的中間層，所述對置電極以與所述表面電極相對的方式配置，所述控制部設置成：對所述表面電極、所述下部電極或者所述對置電極施加電壓，使得在生成正離子的正離子模式下，所述表面電極的電位高于所述下部電極的電位以及所述對置電極的電位。
本發明授權離子生成裝置以及離子遷移率分析裝置在權利要求書中公布了：1.一種離子生成裝置，其特征在于，其具備：電子發射元件、對置電極以及控制部，所述電子發射元件包括：下部電極；表面電極；以及配置于所述下部電極與所述表面電極之間的中間層，所述對置電極以與所述表面電極相對的方式配置，所述控制部設置成：對所述表面電極、所述下部電極或者所述對置電極施加電壓，使得在生成正離子的正離子模式下，所述表面電極的電位高于所述下部電極的電位以及所述對置電極的電位；所述控制部設置為對所述下部電極與所述表面電極之間施加電壓，使得在所述正離子模式下，從所述電子發射元件發射能量比所述表面電極與所述對置電極之間的氣體成分的電離能更高的電子。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人夏普株式會社，其通訊地址為：日本國大阪府堺市堺區匠町1番地；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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