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龍圖騰網恭喜燕山大學申請的專利GAA結構的異質結雙極晶體管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114284338B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111493516.0，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權GAA結構的異質結雙極晶體管及其制備方法是由周春宇;李作為;張靜;包建輝;尚建蕊;徐超;孫繼浩;王冠宇設計研發完成，并于2021-12-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本GAA結構的異質結雙極晶體管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種GAA結構的異質結雙極晶體管及其制備方法，該晶體管為小尺寸器件，主要利用全環繞柵式場效應晶體管GAAFET的工藝，制備SiSiGe異質結雙極晶體管。該結構的發射區與基區形成全包圍式異質發射結，基區與集電區形成全包圍式集電結，有效增加了發射結的注入效率和集電區抽取載流子的能力。對于SiSiGe異質結，可以通過調節SiGe材料帶隙寬度的變化來對載流子進行有效控制；通過提高SiGe基區的摻雜濃度使器件得到較高的Early電壓，減小基極電阻，減弱大注入效應；通過減薄基區厚度大幅縮短基區渡越時間，可實現超高頻、超高速和低噪聲的優異性能。

本發明授權GAA結構的異質結雙極晶體管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種GAA結構的異質結雙極晶體管的制備方法，其特征在于：其包括如下步驟：步驟一，在襯底上方形成SiGe第一犧牲層和Si半導體納米片層交錯的SiGeSiSiGe的堆疊結構，半導體納米片層為n型Si材料，對SiGeSiSiGe的堆疊結構進行刻蝕，剩余的第一犧牲層形成第二犧牲層，剩余的半導體納米片層形成集電區；步驟二，在SiGeSiSiGe的堆疊結構上方形成虛擬柵，在虛擬柵上淀積Si3N4硬掩膜層；步驟三，在Y方向上，對第二犧牲層的兩端進行側向刻蝕，使得第二犧牲層的兩端相對于集電區向內凹陷，未被去除的第二犧牲層形成第三犧牲層，并在器件表面淀積SiO2第一支撐層；步驟四，在所述SiO2第一支撐層上方淀積第一SiON層，并使器件平面化；步驟五，對器件表面向下進行各向異性刻蝕，以虛擬柵為刻蝕停止層，去除Si3N4硬掩膜層以及部分SiO2第一支撐層和部分第一SiON層，未被去除的SiO2第一支撐層和第一SiON層形成SiO2第二支撐層和第二SiON層；步驟六，去除虛擬柵形成第一凹槽，接著采用選擇性橫向刻蝕去除第一凹槽正下方對應的第三犧牲層，未被去除的第三犧牲層形成第四犧牲層，使位于第一凹槽內的集電區懸于襯底上方，并使其圓角化，形成剖面圖為跑道狀結構；步驟七，在第一凹槽中淀積SiO2第一絕緣層，接著對器件進行平面化；步驟八，旋涂一層光刻膠，將掩膜版上的圖形轉移到光刻膠，以光刻膠為掩膜，在Y方向上，去除第四犧牲層正上方的SiO2第二支撐層和第二SiON層，并去除第四犧牲層，從而形成第二凹槽和第三凹槽，未被去除的第二SiON層形成第三SiON層，未被去除的SiO2第二支撐層形成SiO2第三支撐層，使位于第二凹槽和第三凹槽的集電區部分懸于襯底上方，并使其圓角化，形成剖面跑道形狀的結構，然后在800℃～1200℃的溫度下進行氫退火；步驟九，在位于第二凹槽和第三凹槽的集電區周圍，外延生長基區；步驟十，去除光刻膠，在第二凹槽和第三凹槽淀積SiO2，對器件進行平面化，然后在Y方向上，去除SiO2第一絕緣層兩側的部分所述SiO2，從而形成第四凹槽和第五凹槽，在第四凹槽和第五凹槽內集電區和基區部分懸于襯底上方未被去除的SiO2與SiO2第三支撐層共同形成第四支撐層；步驟十一，在位于第四凹槽和第五凹槽的基區周圍，外延生長形成發射區，去除第三SiON層接著再次淀積SiO2，并采用CMP方法使器件平面化，此步驟淀積的SiO2與步驟十中未被去除的SiO2共同形成第二絕緣層；步驟十二，步驟十一得到的器件表面淀積高應力的Si3N4覆蓋層，在Si3N4覆蓋層表面分別刻蝕出集電極窗口、基極窗口和發射極窗口，并在各窗口內淀積多晶硅，形成集電極、基極和發射極。

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