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龍圖騰網恭喜浙江禾芯集成電路有限公司申請的專利一種垂直型MOSFET芯片的封裝結構的封裝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114975130B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210604701.0，技術領域涉及：H01L21/48；該發明授權一種垂直型MOSFET芯片的封裝結構的封裝方法是由張黎設計研發完成，并于2022-05-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種垂直型MOSFET芯片的封裝結構的封裝方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種垂直型MOSFET芯片的封裝結構的制作方法，屬于半導體封裝技術領域。其采用垂直型MOSFET芯片的正面倒裝至立體金屬框架的刻蝕面上，通過立體金屬框架的折轉使用實現了垂直型MOSFET芯片的漏極、源極和柵極在同一平面分布，縮短了垂直型MOSFET芯片與外界互聯距離，增強了芯片的導電效果，精簡了封裝結構；同時采用金屬導電散熱板大面積接觸垂直型MOSFET芯片的背面漏極區，散熱性能優異，提升了產品的品質；立體金屬框架的源極金屬引腳和柵極金屬引腳設有加強結構，增強了金屬柱和塑封材料之間的結合力，達到了增加產品可靠性的目的。

本發明授權一種垂直型MOSFET芯片的封裝結構的封裝方法在權利要求書中公布了：1.一種垂直型MOSFET芯片的封裝結構的封裝方法，其工藝方法如下：步驟一、準備來料的晶圓100，所述晶圓100上有排列整齊的橫向與縱向交叉的切割道Ⅰ110，切割道Ⅰ110將晶圓100預分成復數顆垂直型MOSFET芯片10，每一垂直型MOSFET芯片10的正面設有源極區和柵極區、背面設為漏極區；步驟二、依次通過濺射、腐蝕、化學沉積、印刷或者噴涂液態金屬的方式分別在垂直型MOSFET芯片10的源極區制作源極導電墊13、在其柵極區設置柵極導電墊15；步驟三、通過低溫燒結銀連接技術在垂直型MOSFET芯片10的漏極區形成高電導率的銀微粒燒結體作為導電線路層30；步驟四、采用切割工藝沿切割道Ⅰ110形成復數顆獨立的垂直型MOSFET芯片10,垂直型MOSFET芯片10的源極區設置源極導電墊13、其柵極區設置柵極導電墊15；步驟五、準備一金屬導電散熱原板400，依次將垂直型MOSFET芯片10的背面整齊裝貼到金屬導電散熱原板400上，垂直型MOSFET芯片10彼此之間留有橫向和縱向的切割道Ⅱ410；步驟六、沿切割道Ⅱ410，將金屬導電散熱原板400切開形成貼合在垂直型MOSFET芯片10背面的金屬導電散熱板40，形成新的芯片單體11；步驟七、準備立體金屬框架條200，其背面的刻蝕面朝上，在其上陣列設置復數個鏤空圖案220、橫向切割道Ⅲ210、縱向切割道Ⅲ230和對位點250，橫向切割道Ⅲ210設置在立體金屬框架條200的上下兩側邊，所述每個鏤空圖案220在上下橫向切割道Ⅲ210的區域內呈連續的圖形，上下橫向切割道Ⅲ210分別穿過每一個鏤空圖案220的上沿和下沿，所述橫向切割道Ⅲ210和縱向切割道Ⅲ230將立體金屬框架條200預分割成復數個立體金屬框架20，每一立體金屬框架20均有不連續的源極金屬片211和柵極金屬片213，源極金屬片211和柵極金屬片213向內分別延伸出源極金屬橋墩212和柵極金屬橋墩214，鏤空圖案220形成源極金屬片211和柵極金屬片213的間隙25，所述間隙25分離源極金屬片211和柵極金屬片213；在源極金屬片211的刻蝕表面的左側和柵極金屬片213的刻蝕表面的右側分別焊接源極金屬引腳22和柵極金屬引腳24，所述源極金屬引腳22和柵極金屬引腳24的柱面設有加強結構，且與立體金屬框架20共同構成型腔26；所述加強結構為若干個微凹槽277，或若干個微凸點287；步驟八、依次將所述芯片單體11的正面依次倒裝放入立體金屬框架條200的型腔26內，通過對位點250對位，其源極導電墊13和柵極導電墊15分別與源極金屬橋墩23和柵極金屬橋墩25對應固連，實現垂直型MOSFET芯片10的源極和柵極分別與引線框架上的源極金屬引腳22和柵極金屬引腳24電路導通；步驟九、通過薄膜輔助塑封單面成型工藝用塑封材料90將立體金屬框架條200和垂直型MOSFET芯片10包覆，并填充鏤空圖案220；步驟十、通過研磨工藝暴露出立體金屬框架條200的源極金屬引腳的刻蝕表面221和柵極金屬引腳的刻蝕表面241，以及垂直型MOSFET芯片10的背面的金屬導電散熱板的表面Ⅱ43；步驟十一、依次通過濺射腐蝕、化學沉積、印刷或者噴涂的方式在源極金屬引腳的刻蝕表面231、柵極金屬引腳的刻蝕表面241、金屬導電散熱板的表面Ⅱ43分別制作導電金屬層Ⅰ61、導電金屬層Ⅱ63和導電金屬層Ⅲ65；步驟十二、沿橫向切割道Ⅲ210和縱向切割道Ⅲ230將上述封裝體分割成復數顆垂直型MOSFET芯片的封裝結構單體，將垂直型MOSFET芯片10的源極和柵極通過立體金屬框架20向上引至與垂直型MOSFET芯片10的漏極相同的平面。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江禾芯集成電路有限公司，其通訊地址為：314112 浙江省嘉興市嘉善縣惠民街道錢塘江路189號H座；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。