恭喜廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司;杭州士蘭集成電路有限公司郭茂峰獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司;杭州士蘭集成電路有限公司申請的專利正裝發光二極管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115000262B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210626486.4，技術領域涉及：H10H20/816；該發明授權正裝發光二極管及其制備方法是由郭茂峰;蔡立鶴;何小可;沈俠強;李世煥;邊福強;李士濤設計研發完成，并于2022-06-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本正裝發光二極管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種正裝發光二極管及其制備方法，在透明導電層的第一部分與外延層之間形成透明電介質層，透明導電層的第一部分、透明電介質層及外延層可以構成MIS電容結構，而透明導電層的第二部分用于歐姆接觸和電流擴展，可以令第二電極連接相對較高的電位，第三電極連接相對較低的電位，使得外延層中的發光層發光，同時，令第一電極連接相對較高的電位，令第三電極連接相對較低的電位，使得電子從第一半導體層向發光層聚集，空穴從第二半導體層向發光層中聚集，且透明導電層的第一部分和第二部分利用不同工作原理提高了空穴注入效率，增加發光層中的輻射復合效率，在不降低輻射復合發光的透射效率的同時提高了光電轉化效率，且成本較低。
本發明授權正裝發光二極管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種正裝發光二極管，其特征在于，包括：襯底；外延層，位于所述襯底上，包括由下至上依次設置的第一半導體層、發光層及第二半導體層；透明電介質層，位于部分所述第二半導體層上；透明導電層，包括位于所述透明電介質層上的第一部分以及位于部分所述第二半導體層上的第二部分，所述透明導電層的第一部分、所述透明電介質層及所述外延層構成MIS電容結構；以及，第一電極、第二電極和第三電極，分別與所述透明導電層的第一部分、所述透明導電層的第二部分及所述第一半導體層電性連接。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司;杭州士蘭集成電路有限公司，其通訊地址為：361026 福建省廈門市海滄區蘭英路99號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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