恭喜哈爾濱工業大學劉勇獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜哈爾濱工業大學申請的專利一種MXenes超級電容器電極的輻照改性方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115831627B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211467957.8，技術領域涉及：H01G11/86；該發明授權一種MXenes超級電容器電極的輻照改性方法是由劉勇;劉旭東;董尚利;呂露;何思銳設計研發完成，并于2022-11-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種MXenes超級電容器電極的輻照改性方法在說明書摘要公布了：一種MXenes超級電容器電極的輻照改性方法，本發明屬于納米材料技術領域。本發明要解決現有MXenes電極的改性方法或存在電極柔性差的問題，或存在造成MXenes晶體結構破壞并產生氧化的問題，且現有Mxenes的改性方法不適于大規模生產。方法：一、MXenes電極的制備及預處理；二、利用質子束進行輻照改性。本發明用于MXenes超級電容器電極的輻照改性。
本發明授權一種MXenes超級電容器電極的輻照改性方法在權利要求書中公布了：1.一種MXenes超級電容器電極的輻照改性方法，其特征在于它是按照以下步驟進行的：一、MXenes電極的制備及預處理：①利用鹽酸及LiF刻蝕MAX，然后清洗及超聲分散，得到MXenes分散液，將MXenes分散液真空抽濾至完全干燥，得到自支撐MXenes薄膜；②將自支撐MXenes薄膜裁剪并粘貼于質子輻照樣品臺上，然后真空脫氣處理，得到覆于樣品臺的MXenes電極；二、利用質子束進行輻照改性：將覆于樣品臺的MXenes電極置于質子加速器中，然后對樣品臺進行接地，再在真空度為1.1×10-3Pa～1.5×10-5Pa、質子輻照能量為130keV～170keV、輻照通量為1×1010cm-2·s-1～1×1012cm-2·s-1及輻照注量為5×1014ions·cm-2～5×1015ions·cm-2的條件下，對MXenes電極進行輻照改性，輻照后取下MXenes電極，得到質子輻照改性的MXenes電極。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人哈爾濱工業大學，其通訊地址為：150001 黑龍江省哈爾濱市南崗區西大直街92號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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