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龍圖騰網恭喜電子科技大學申請的專利基于SOI的Ge納米空氣溝道光混頻器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116014008B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211611083.9，技術領域涉及：H10F77/122；該發明授權基于SOI的Ge納米空氣溝道光混頻器是由陳飛良;馬培勝;李沫;張健;李曉旭;王佳超;姜昊;楊帆設計研發完成，并于2022-12-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于SOI的Ge納米空氣溝道光混頻器在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于SOI的Ge納米空氣溝道光混頻器，屬于半導體光電探測器與毫米波太赫茲器件技術領域。該器件包括由Si襯底、SiO2層、摻雜Si薄膜構成的SOI襯底；SOI襯底上表面設置下電極和Ge薄膜，Ge薄膜的上方設置絕緣犧牲層、上電極，且上電極與Ge薄膜及SOI襯底通過隔離層進行隔離；絕緣犧牲層向內腐蝕部分區域，構成納米空氣溝道。本發明器件可以采用非晶多晶單晶Ge薄膜，對Ge薄膜生長設備的要求大大降低；采用SOI作為襯底，可以降低器件的寄生電容；并且將摻雜Si薄膜作為載流子收集層和光波導層，在保持高的光吸收率與響應度的同時，能夠有效降低吸收層Ge薄膜的厚度，提升器件帶寬。

本發明授權基于SOI的Ge納米空氣溝道光混頻器在權利要求書中公布了：1.一種基于SOI的Ge納米空氣溝道光混頻器，其特征在于：所述的光混頻器，包括SOI襯底、下電極、Ge薄膜、隔離層、納米絕緣犧牲層、上電極；所述SOI襯底，包括下層Si襯底、中層SiO2層、上層摻雜Si薄膜；其中上層摻雜Si薄膜同時作為載流子收集層和光波導層；所述下電極和所述Ge薄膜設置于SOI襯底上表面，且二者間無物理接觸；所述Ge薄膜的上方設置絕緣犧牲層；所述Ge薄膜和絕緣犧牲層遠離下電極的一側設置隔離層；所述納米絕緣犧牲層、隔離層的上方設置上電極；所述隔離層用于將上電極與Ge薄膜、SOI襯底隔離；所述納米絕緣犧牲層靠近下電極的一側向內腐蝕部分區域，在所述的Ge薄膜和上電極之間、納米絕緣犧牲層的外側為納米空氣溝道。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人電子科技大學，其通訊地址為：611731 四川省成都市高新區(西區)西源大道2006號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。