買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜上海矽睿科技股份有限公司申請的專利一種傳感器的形貌控制方法及其應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117163918B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311110766.0，技術領域涉及：B81C3/00；該發明授權一種傳感器的形貌控制方法及其應用是由徐偉;顏培力;張斌;肖勇設計研發完成，并于2023-08-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種傳感器的形貌控制方法及其應用在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體技術領域，具體涉及一種傳感器的形貌控制方法及其應用。該方法包括：于第一硅片上進行淺槽刻蝕和深槽刻蝕，第一硅片上形成上方有開口、內部有A立柱和B立柱的腔體結構；A立柱的高度小于B立柱；將第一硅片與第二硅片通過氧化層進行鍵合，將第二硅片減薄；深硅刻蝕第二硅片形成可動齒和氣體引入開口，可動齒的間隙暴露位于B立柱的上表面的氧化層，氣體引入開口位于A立柱遠離B立柱的一側；通過可動齒的間隙和氣體引入開口通入刻蝕氣體刻蝕位B立柱的上表面的氧化層以釋放可動齒。該方法能避免可動結構側壁受損傷，還能克服鍵合3D結構氧化層殘留問題，確保器件的性能可靠；改善了器件抗沖擊性能，可靠性提升。

本發明授權一種傳感器的形貌控制方法及其應用在權利要求書中公布了：1.一種傳感器的形貌控制方法，其特征在于，包括以下步驟：a提供一第一硅片，于所述第一硅片上的設定位置依次進行淺槽刻蝕和深槽刻蝕，所述深槽刻蝕的區域部分覆蓋所述淺槽刻蝕的區域，使得在所述第一硅片上形成上方具有開口、內部具有A立柱和B立柱的腔體結構；所述A立柱的高度小于所述B立柱的高度；b在所述第一硅片的上表面形成一氧化層；c提供一第二硅片，將所述第一硅片與所述第二硅片通過所述氧化層進行鍵合，并將所述第二硅片減薄至預設厚度；d深硅刻蝕所述第二硅片形成可動齒和氣體引入開口，所述可動齒的間隙暴露位于所述B立柱的上表面的所述氧化層，所述氣體引入開口位于所述A立柱遠離所述B立柱的一側；e通過所述可動齒的間隙和所述氣體引入開口通入刻蝕氣體刻蝕位于所述B立柱的上表面的所述氧化層以釋放所述可動齒。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海矽睿科技股份有限公司，其通訊地址為：200050 上海市長寧區定西路1328號3樓307室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。