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龍圖騰網恭喜哈爾濱工業大學申請的專利基于面陣SPAD的高探測效率自聚焦像元設計方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117150769B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311115659.7，技術領域涉及：G06F30/20；該發明授權基于面陣SPAD的高探測效率自聚焦像元設計方法是由丁衛強;張宇飛;馮睿;曹永印;孫芳魁設計研發完成，并于2023-08-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于面陣SPAD的高探測效率自聚焦像元設計方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于面陣SPAD的高探測效率自聚焦像元設計方法，所述方法包括如下步驟：步驟一、球狀摻雜雪崩倍增區和吸收區設計；步驟二、可調節的自聚焦輔助電場設計；步驟三、結構像元間的串擾隔離設計。該方法通過設計像元內部的電場分布將光生載流子向雪崩倍增區匯集，使得光吸收區幾乎覆蓋整個像元，顯著提高了填充效率和光子探測效率，同時采用球狀摻雜形成小尺寸雪崩放大區結合N+?P?N?P形式的摻雜結構，將吸收區和雪崩放大區分隔開，有效降低雪崩擊穿電壓和暗計數，實現了在不惡化暗計數性能的同時提升光子探測效率的目標。

本發明授權基于面陣SPAD的高探測效率自聚焦像元設計方法在權利要求書中公布了：1.一種基于面陣SPAD的高探測效率自聚焦像元設計方法，其特征在于所述方法包括如下步驟：步驟一、球狀摻雜雪崩倍增區和吸收區設計所述球狀摻雜雪崩倍增區由用于和陰極產生歐姆接觸并且形成P-N結的高濃度N型球摻雜區域、用于形成P-N結的P型球摻雜區域組成；所述高濃度N型球摻雜區域與陰極工作電極連接，P型球摻雜區域與陽極工作電極連接；所述高濃度N型球摻雜區域為N型球摻雜半導體，P型球摻雜區域為P型球摻雜半導體；所述吸收區由N型襯底和底部高摻雜P+區域組成；所述N型襯底為N型摻雜半導體，由外延生長形成，底部高摻雜P+區域為P型摻雜半導體；步驟二、可調節的自聚焦輔助電場設計所述可調節的自聚焦輔助電場由與像元底部相連的垂直輔助電極Vvertical和陰極、陽極連接不同電勢形成，VverticalVanodeVcathode，其中：Vanode為陽極電極電勢，Vcathode為陰極電極電勢；步驟三、結構像元間的串擾隔離設計所述結構像元間的串擾隔離通過深埋金屬溝槽和深埋氧化物溝槽實現；所述深埋金屬溝槽貫穿整個像元，其兩側設置有深埋氧化物溝槽，自聚焦輔助電極通過深埋金屬溝槽與N型襯底連接。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人哈爾濱工業大學，其通訊地址為：150001 黑龍江省哈爾濱市南崗區西大直街92號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。