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龍圖騰網恭喜天津應大科訊電氣設備有限公司申請的專利一種基于SiC模塊功率器件的功率單元獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN222814363U 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發(fā)布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請?zhí)?專利號為：202323383206.0，技術領域涉及：H02M1/00；該實用新型一種基于SiC模塊功率器件的功率單元是由柴艷鵬;郭宇澤;曹鴻;趙文晉設計研發(fā)完成，并于2023-12-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于SiC模塊功率器件的功率單元在說明書摘要公布了：本實用新型屬于大功率高頻逆變電源設備領域，尤其涉及一種基于SiC模塊功率器件的功率單元，包括單元箱殼體和疊層母排，單元箱殼體一側預留直流輸入排，疊層母排置于單元箱殼體內，疊層母排上設SICMOSFET模塊，且SICMOSFET模塊的一端穿過單元箱殼體直流輸入排的相對側，直流輸入排和SICMOSFET模塊通過疊層母排實現(xiàn)電氣回路連通，疊層母排上靠近直流輸入排設直流支撐電容；所述直流支撐電容兩側均設SICMOSFET驅動板，并且在靠近SICMOSFET驅動板的單元箱殼體上分別裝有驅動電源板；疊層母排上均勻分布吸收電容，單元箱殼體上方設供電電源以及風機。該功率單元內部電氣布局更加合理緊湊，實現(xiàn)更小的空間占用，提高設備整體的工作可靠性、穩(wěn)定性。

本實用新型一種基于SiC模塊功率器件的功率單元在權利要求書中公布了：1.一種基于SiC模塊功率器件的功率單元，其特征在于，包括單元箱殼體（9）和疊層母排（7），所述單元箱殼體（9）一側預留直流輸入排（1），所述疊層母排（7）置于單元箱殼體（9）內，疊層母排（7）上設SICMOSFET模塊（6），且SICMOSFET模塊（6）的一端穿過單元箱殼體（9）上直流輸入排（1）的相對側，所述直流輸入排（1）和SICMOSFET模塊（6）通過疊層母排（7）實現(xiàn)電氣回路連通，所述疊層母排（7）上靠近直流輸入排（1）設直流支撐電容（2）；所述直流支撐電容（2）兩側均設SICMOSFET驅動板（3），并且在靠近SICMOSFET驅動板（3）的單元箱殼體（9）上分別裝有驅動電源板（4）；所述疊層母排（7）上均勻分布吸收電容（5）。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人天津應大科訊電氣設備有限公司，其通訊地址為：301700 天津市武清區(qū)福源道75號4號廠房107室；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。