恭喜武漢理工大學(xué);廣東匯成真空科技股份有限公司章嵩獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜武漢理工大學(xué);廣東匯成真空科技股份有限公司申請的專利一種具有超晶格結(jié)構(gòu)的二維Bi4Se3單晶及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN117721539B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202311764239.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C30B29/46；該發(fā)明授權(quán)一種具有超晶格結(jié)構(gòu)的二維Bi4Se3單晶及其制備方法是由章嵩;李寶文;涂溶;張聯(lián)盟;李志榮;李迎春設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-12-20向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種具有超晶格結(jié)構(gòu)的二維Bi4Se3單晶及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種具有超晶格結(jié)構(gòu)的二維Bi4Se3單晶及其制備方法，所述具有超晶格結(jié)構(gòu)的二維Bi4Se3單晶為正六邊形形狀的單層單晶納米片，等效直徑為5～20μm，厚度為4～25nm。本發(fā)明提供的具有超晶格結(jié)構(gòu)的二維Bi4Se3單晶為厚度可控的大尺寸單晶，最低可至單層，其作為二維層面下的光電材料具有一定的應(yīng)用前景。
本發(fā)明授權(quán)一種具有超晶格結(jié)構(gòu)的二維Bi4Se3單晶及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種具有超晶格結(jié)構(gòu)的二維Bi4Se3單晶，其特征在于，其為正六邊形形狀的單層單晶納米片，等效直徑為5～20μm，厚度為4～25nm。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人武漢理工大學(xué);廣東匯成真空科技股份有限公司，其通訊地址為：430070 湖北省武漢市洪山區(qū)珞獅路122號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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