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龍圖騰網(wǎng)恭喜煙臺奇創(chuàng)芯源科技有限公司申請的專利一種降低平面結(jié)碲鎘汞器件PN結(jié)區(qū)域位錯密度的工藝獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN118888639B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-18發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202410973352.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F71/00；該發(fā)明授權(quán)一種降低平面結(jié)碲鎘汞器件PN結(jié)區(qū)域位錯密度的工藝是由請求不公布姓名設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-07-19向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種降低平面結(jié)碲鎘汞器件PN結(jié)區(qū)域位錯密度的工藝在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種降低平面結(jié)碲鎘汞器件PN結(jié)區(qū)域位錯密度的工藝，包括以下步驟：S1將平面結(jié)碲鎘汞半成品與汞在密閉空間內(nèi)進行退火處理，且平面結(jié)碲鎘汞半成品與汞互不接觸，得到退火處理的半成品；所述平面結(jié)碲鎘汞半成品包括依次設(shè)置的硅襯底、碲化鎘緩沖層、碲鎘汞層與碲化鎘鈍化層，所述碲化鎘鈍化層中設(shè)置有注入?yún)^(qū)；所述注入?yún)^(qū)的底部不含碲化鎘鈍化層；S2在退火處理的半成品上制備形成PN結(jié)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明利用非注入?yún)^(qū)域碲化鎘鈍化層與碲鎘汞層之間存在應(yīng)力，位錯移動的驅(qū)動力不足以克服阻力，高溫退火處理過程中移動的位錯將被鎖定在未開孔的非注入?yún)^(qū)域，從而降低了PN結(jié)區(qū)域的位錯密度，進而提升PN結(jié)性能。

本發(fā)明授權(quán)一種降低平面結(jié)碲鎘汞器件PN結(jié)區(qū)域位錯密度的工藝在權(quán)利要求書中公布了：1.一種降低平面結(jié)碲鎘汞器件PN結(jié)區(qū)域位錯密度的工藝，其特征在于，包括以下步驟：S1將平面結(jié)碲鎘汞半成品與汞在密閉空間內(nèi)進行退火處理，且平面結(jié)碲鎘汞半成品與汞互不接觸，得到退火處理的半成品；所述平面結(jié)碲鎘汞半成品包括依次設(shè)置的硅襯底、碲化鎘緩沖層、碲鎘汞層與碲化鎘鈍化層，所述碲化鎘鈍化層中設(shè)置有注入?yún)^(qū)；所述注入?yún)^(qū)的底部不含碲化鎘鈍化層；S2在退火處理的半成品上制備形成PN結(jié)。

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