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龍圖騰網恭喜湖南恩智測控技術有限公司申請的專利基于多特征模式識別的電子負載用MOS管性能評測方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118643431B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410991331.X，技術領域涉及：G06F18/2431；該發明授權基于多特征模式識別的電子負載用MOS管性能評測方法是由請求不公布姓名;請求不公布姓名設計研發完成，并于2024-07-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于多特征模式識別的電子負載用MOS管性能評測方法在說明書摘要公布了：本申請提出基于多特征模式識別的電子負載用MOS管性能評測方法。該方法包括高頻采集拉載電路采樣電壓和各MOS管漏極電壓，對采樣信號預處理后滑動切片形成樣本集；從切片樣本中提取4個特征：①滑動切片的原始樣本數據，②進行頻譜變換，將10個最高頻譜值和對應頻率組成“頻率?頻譜值?閾值”對，③建立上電、掉電曲線描述參數，形成曲線形態參數組合，④繪制循環雙譜圖形特征；建立Siamese小樣本模型，預測電路單特征狀態；以單特征狀態作為基因片段，采用遺傳算法挖掘MOS管性能分類評測模式。本申請提供了一種對電子負載用MOS管進行性能評測的方法，篩選不合格MOS管，保證電子負載拉載電路健康、穩定。

本發明授權基于多特征模式識別的電子負載用MOS管性能評測方法在權利要求書中公布了：1.基于多特征模式識別的電子負載用MOS管性能評測方法，其特征在于，包括：高頻采集拉載電流采樣電壓和各MOS管漏極電壓，對采樣時序信號預處理去噪后滑動切片形成切片樣本集；從切片樣本集中提取原始波形、頻率域、上掉電波形形態和循環雙譜圖形4種特征；4種特征分別對應不同的單特征電路狀態，①原始波形對應“包絡鋸齒，紋波，諧波夾雜，正常”4種狀態，②頻率域特征對應“低頻諧波，高頻諧波，高低頻諧波，無諧波”4種狀態，③上掉電波形形態對應“延遲啟動、過快啟動、延遲關斷、過快關斷、正常”5種狀態，④循環雙譜對應“幅度調制，相位調制，混疊調制，無調制”4種狀態，將四種特征對應的電路狀態樣本劃分為“箭頭樣本A，正樣本P，負樣本N”形式的三元訓練集，以三元中心損失為目標函數優化注意力機制Siamese單特征電路狀態預測模型，分別基于所述4種單特征預測電路狀態；以預測的電路單特征狀態作為基因片段，以MOS管分類性能作為標簽，采用遺傳算法挖掘電子負載用MOS管性能分類評測模式；基于遺傳算法挖掘的評測模式對直流負載電路MOS管進行性能分類評測。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖南恩智測控技術有限公司，其通訊地址為：410299 湖南省長沙市長沙市望城經濟技術開發區馬橋河路二段308號聯東金煜產業中心B23棟101號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。