恭喜山西創芯光電科技有限公司楊海峰獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜山西創芯光電科技有限公司申請的專利一種純銻化物半導體激光器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119362156B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411478569.9，技術領域涉及：H01S5/343；該發明授權一種純銻化物半導體激光器是由楊海峰;張培峰設計研發完成，并于2024-10-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種純銻化物半導體激光器在說明書摘要公布了：本發明提供了一種純銻化物半導體激光器，屬于半導體激光器技術領域；解決了經典的InGaAsSb?AlGaAsSbI型應變量子阱存在的價帶帶階不大、對空穴的束縛能力不強的問題；包括襯底，以及在襯底上依次外延生長的下限制層、下波導層、下量子勢壘層、量子阱、上量子勢壘層、上波導層、上限制層和保護層，所述襯底和保護層采用InxGa1?xSb材料，其中0.05≤x≤0.65，所述下限制層、上限制層采用與襯底晶格匹配的Ga1?z1Alz1Sb材料，所述下波導層、下量子勢壘層、上量子勢壘層、上波導層采用與襯底晶格匹配的In1?x1?y1Gax1Aly1Sb材料，所述量子阱采用InyGa1?ySb材料，其中0.20≤y≤0.60；本發明應用于銻化物半導體。
本發明授權一種純銻化物半導體激光器在權利要求書中公布了：1.一種純銻化物半導體激光器，包括襯底，以及在襯底上依次外延生長的下限制層、下波導層、下量子勢壘層、量子阱、上量子勢壘層、上波導層、上限制層和保護層，其特征在于：所述襯底和保護層采用InxGa1-xSb材料，其中0.05≤x≤0.65，所述下限制層、上限制層采用與襯底晶格匹配的Ga1-z1Alz1Sb材料，其中0.48≤z1≤0.98，所述下波導層、下量子勢壘層、上量子勢壘層、上波導層采用與襯底晶格匹配的In1-x1-y1Gax1Aly1Sb材料，其中0.17≤x1≤0.95，0.02≤y1≤0.80，所述量子阱采用InyGa1-ySb材料，其中0.20≤y≤0.60。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人山西創芯光電科技有限公司，其通訊地址為：030000 山西省太原市小店區南內環街16號二號廠房一層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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