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龍圖騰網恭喜青島海存微電子有限公司申請的專利半導體器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119156121B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411595870.8，技術領域涉及：H10N52/85；該發明授權半導體器件及其制備方法是由孫慧巖;秦穎超;楊永興;盧世陽;劉宏喜;王戈飛設計研發完成，并于2024-11-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種半導體器件及其制備方法，涉及半導體技術領域，用于解決提高磁隧道結的矯頑力，會導致SOT?MRAM的功耗呈倍數增加的技術問題，該半導體器件至少包括襯底，以及在襯底上依次疊置的第一重金屬層、第二重金屬層和磁隧道結；其中，第一重金屬層和第二重金屬層的材料相同且晶相不同，第一重金屬層與第二重金屬層通過鍵合工藝鍵合；磁隧道結中的自由層與第二重金屬層相鄰設置，經退火工藝處理后，自由層與第二重金屬層晶格失配，以使自由層產生晶格應力。本申請用于提高磁隧道結的矯頑力，同時，降低半導體器件的功耗。

本發明授權半導體器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，至少包括：襯底，以及在所述襯底上依次疊置的第一重金屬層、第二重金屬層和磁隧道結；其中，所述第一重金屬層和所述第二重金屬層的材料相同且晶相不同，所述第一重金屬層與所述第二重金屬層通過鍵合工藝鍵合；所述磁隧道結中的自由層與所述第二重金屬層相鄰設置，經退火工藝處理后，所述自由層與所述第二重金屬層晶格失配，以使所述自由層產生晶格應力；所述第一重金屬層的自旋轉換效率大于所述第二重金屬層的自旋轉換效率；在所述退火工藝下，所述第一重金屬層的晶相穩定性小于所述第二重金屬層的晶相穩定性。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人青島海存微電子有限公司，其通訊地址為：266000 山東省青島市黃島區映山紅路117號1棟1605室(原黃島區科教二路117號1棟研發中心辦公室)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。