買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)恭喜浙江晟霖益嘉科技有限公司申請的專利一種鈣鈦礦多層SnO₂緩沖膜、電池及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119364985B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-18發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411918274.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10K30/50；該發(fā)明授權(quán)一種鈣鈦礦多層SnO₂緩沖膜、電池及其制備方法是由章暉;徐鈞;吳賓賓;劉偉設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-12-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種鈣鈦礦多層SnO₂緩沖膜、電池及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種鈣鈦礦多層SnO2緩沖膜、電池及其制備方法，所述鈣鈦礦多層SnO2緩沖膜依次包括預(yù)處理膜層、第一層SnO2膜和第二層SnO2膜，所述第一層SnO2膜的厚度小于第二層SnO2膜的厚度。本發(fā)明提供的鈣鈦礦多層SnO2緩沖膜，包括至少3個(gè)膜層，可以對各個(gè)膜層的沉積速率及厚度進(jìn)行控制。本發(fā)明利用線性往復(fù)式原子層沉積設(shè)備制備的多層SnO2緩沖膜，在保證大尺寸基底的膜層均勻性的同時(shí)，不僅在膜層均勻性上有所改善，也對沉積速率有了一定程度的提高，節(jié)省了工藝時(shí)間，優(yōu)化了生產(chǎn)節(jié)拍。

本發(fā)明授權(quán)一種鈣鈦礦多層SnO₂緩沖膜、電池及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種鈣鈦礦多層SnO2緩沖膜的制備方法，其特征在于，所述鈣鈦礦多層SnO2緩沖膜依次包括預(yù)處理膜層、第一層SnO2膜和第二層SnO2膜，所述第一層SnO2膜的厚度小于第二層SnO2膜的厚度；所述制備方法包括如下步驟：S1:將基底置于真空恒溫的腔室中；S2:構(gòu)建預(yù)處理膜，通入TDMASn前驅(qū)體與隔離氣體N2到腔室，滾輪驅(qū)動(dòng)基底搖擺，設(shè)置第一搖擺速度，搖擺基底依次暴露于TDMASn前驅(qū)體反應(yīng)區(qū)域和隔離氣體N2區(qū)域，基底在TDMASn反應(yīng)區(qū)域完成吸附后，搖擺到隔離區(qū)域清洗掉多余的前驅(qū)體和反應(yīng)副產(chǎn)物，往復(fù)運(yùn)動(dòng)后，得到預(yù)處理膜層；S3:構(gòu)建第一層膜：通入TDMASn前驅(qū)體、隔離氣體N2與H2O前驅(qū)體于預(yù)處理后的基底表面，設(shè)置第二搖擺速度，搖擺基底依次暴露于TDMASn前驅(qū)體反應(yīng)區(qū)域、隔離氣體N2反應(yīng)區(qū)域和H2O前驅(qū)體區(qū)域，基底在TDMASn反應(yīng)區(qū)域完成吸附后，搖擺到隔離區(qū)域清洗掉多余的前驅(qū)體和反應(yīng)副產(chǎn)物，再搖擺到H2O反應(yīng)區(qū)域進(jìn)行反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)一個(gè)完整原子層沉積反應(yīng)過程，往復(fù)運(yùn)動(dòng)后，得到第一層SnO2膜；S4:構(gòu)建第二層膜：通入TDMASn前驅(qū)體、隔離氣體N2與H2O前驅(qū)體于具有第一層SnO2膜的基底，設(shè)置第三搖擺速度，搖擺基底依次暴露于TDMASn前驅(qū)體反應(yīng)區(qū)域、隔離氣體N2反應(yīng)區(qū)域和H2O前驅(qū)體區(qū)域，基底在TDMASn反應(yīng)區(qū)域完成吸附后，搖擺到隔離區(qū)域清洗掉多余的前驅(qū)體和反應(yīng)副產(chǎn)物，再搖擺到H2O反應(yīng)區(qū)域進(jìn)行反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)一個(gè)完整原子層沉積反應(yīng)過程，往復(fù)運(yùn)動(dòng)后，得到第二層SnO2膜；S5:通入隔離N2到腔室，隨后抽真空，重復(fù)此過程，清理腔室內(nèi)剩余反應(yīng)氣體和副產(chǎn)物，獲得多層SnO2緩沖膜；所述第三搖擺速度大于第一搖擺速度和第二搖擺速度，且步驟S4中的搖擺次數(shù)大于步驟S3和步驟S2中的搖擺次數(shù)；使得預(yù)處理膜層的厚度在1nm以下，僅覆蓋一層Sn原子層；使得步驟S3中的第一層膜厚度小于步驟S4中的第二層膜厚度。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人浙江晟霖益嘉科技有限公司，其通訊地址為：310022 浙江省杭州市拱墅區(qū)劉文路333號4幢601-1室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。