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龍圖騰網恭喜浙江晟霖益嘉科技有限公司申請的專利一種鈣鈦礦多層SnO₂緩沖膜、電池及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119364985B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411918274.9，技術領域涉及：H10K30/50；該發明授權一種鈣鈦礦多層SnO₂緩沖膜、電池及其制備方法是由章暉;徐鈞;吳賓賓;劉偉設計研發完成，并于2024-12-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種鈣鈦礦多層SnO₂緩沖膜、電池及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種鈣鈦礦多層SnO2緩沖膜、電池及其制備方法，所述鈣鈦礦多層SnO2緩沖膜依次包括預處理膜層、第一層SnO2膜和第二層SnO2膜，所述第一層SnO2膜的厚度小于第二層SnO2膜的厚度。本發明提供的鈣鈦礦多層SnO2緩沖膜，包括至少3個膜層，可以對各個膜層的沉積速率及厚度進行控制。本發明利用線性往復式原子層沉積設備制備的多層SnO2緩沖膜，在保證大尺寸基底的膜層均勻性的同時，不僅在膜層均勻性上有所改善，也對沉積速率有了一定程度的提高，節省了工藝時間，優化了生產節拍。

本發明授權一種鈣鈦礦多層SnO₂緩沖膜、電池及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種鈣鈦礦多層SnO2緩沖膜的制備方法，其特征在于，所述鈣鈦礦多層SnO2緩沖膜依次包括預處理膜層、第一層SnO2膜和第二層SnO2膜，所述第一層SnO2膜的厚度小于第二層SnO2膜的厚度；所述制備方法包括如下步驟：S1:將基底置于真空恒溫的腔室中；S2:構建預處理膜，通入TDMASn前驅體與隔離氣體N2到腔室，滾輪驅動基底搖擺，設置第一搖擺速度，搖擺基底依次暴露于TDMASn前驅體反應區域和隔離氣體N2區域，基底在TDMASn反應區域完成吸附后，搖擺到隔離區域清洗掉多余的前驅體和反應副產物，往復運動后，得到預處理膜層；S3:構建第一層膜：通入TDMASn前驅體、隔離氣體N2與H2O前驅體于預處理后的基底表面，設置第二搖擺速度，搖擺基底依次暴露于TDMASn前驅體反應區域、隔離氣體N2反應區域和H2O前驅體區域，基底在TDMASn反應區域完成吸附后，搖擺到隔離區域清洗掉多余的前驅體和反應副產物，再搖擺到H2O反應區域進行反應，實現一個完整原子層沉積反應過程，往復運動后，得到第一層SnO2膜；S4:構建第二層膜：通入TDMASn前驅體、隔離氣體N2與H2O前驅體于具有第一層SnO2膜的基底，設置第三搖擺速度，搖擺基底依次暴露于TDMASn前驅體反應區域、隔離氣體N2反應區域和H2O前驅體區域，基底在TDMASn反應區域完成吸附后，搖擺到隔離區域清洗掉多余的前驅體和反應副產物，再搖擺到H2O反應區域進行反應，實現一個完整原子層沉積反應過程，往復運動后，得到第二層SnO2膜；S5:通入隔離N2到腔室，隨后抽真空，重復此過程，清理腔室內剩余反應氣體和副產物，獲得多層SnO2緩沖膜；所述第三搖擺速度大于第一搖擺速度和第二搖擺速度，且步驟S4中的搖擺次數大于步驟S3和步驟S2中的搖擺次數；使得預處理膜層的厚度在1nm以下，僅覆蓋一層Sn原子層；使得步驟S3中的第一層膜厚度小于步驟S4中的第二層膜厚度。

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