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龍圖騰網恭喜浙江創芯集成電路有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119361530B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411924277.3，技術領域涉及：H01L21/762；該發明授權半導體結構及其形成方法是由丁永康;吳永玉;許凱;陸佳倩設計研發完成，并于2024-12-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成柵極結構；形成刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層覆蓋所述柵極結構和所述基底；采用多輪工藝，形成覆蓋所述刻蝕阻擋層的填充層，每輪工藝至少包含：采用沉積工藝，形成填充子層，自第二層填充子層起，每層填充子層覆蓋前一層填充子層；采用刻蝕工藝，自當前的填充子層的表面，去除所述填充子層的一部分厚度；其中，不同輪工藝之間，所述刻蝕工藝的工藝參數相同或不同。本發明實施例有利于提高半導體器件的制作良率。

本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成柵極結構；形成刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層覆蓋所述柵極結構和所述基底；采用多輪工藝，形成覆蓋所述刻蝕阻擋層的填充層，每輪工藝至少包含：采用沉積工藝，形成填充子層，自第二層填充子層起，每層填充子層覆蓋前一層填充子層；采用刻蝕工藝，自當前的填充子層的表面，去除所述填充子層的一部分厚度；其中，不同輪工藝之間，所述刻蝕工藝的工藝參數相同或不同；在所述形成刻蝕阻擋層的過程中，覆蓋所述柵極結構的刻蝕阻擋層的頂角形成有尖角；在第一輪刻蝕工藝中，自當前的填充子層的表面，所述刻蝕阻擋層的尖角的一部分被去除，以形成弧形頂角；所述填充子層的層數等于3層；其中，第一層填充子層暴露出的弧形頂角具有第一弧度和第一弧長，第二層填充子層形成的弧形頂角具有第二弧度和第二弧長，第三層填充子層形成的弧形頂角具有第三弧度和第三弧長，所述第三弧度大于等于第二弧度，所述第二弧度大于等于第一弧度，所述第三弧長大于第二弧長，所述第二弧長大于第一弧長；去除所述第一層填充子層一部分厚度的刻蝕氣體為C4F6，去除所述第二層填充子層一部分厚度的刻蝕氣體為C4F8，去除所述第三層填充子層一部分厚度的刻蝕氣體為C5F8。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江創芯集成電路有限公司，其通訊地址為：311200 浙江省杭州市蕭山區寧圍街道平瀾路2118號浙江大學杭州國際科創中心水博園區11幢4層-5層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。