2S4異質(zhì)結(jié)納米片陣列及其制備方法和室溫氣體傳感器,江西師范大學(xué),發(fā)明授權(quán)"/>

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恭喜江西師范大學(xué)楊勇獲國家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)恭喜江西師范大學(xué)申請(qǐng)的專利NiO/Ag/ZnIn2S4異質(zhì)結(jié)納米片陣列及其制備方法和室溫氣體傳感器獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN119349655B

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-18發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202411934423.0,技術(shù)領(lǐng)域涉及:C01G53/04;該發(fā)明授權(quán)NiO/Ag/ZnIn2S4異質(zhì)結(jié)納米片陣列及其制備方法和室溫氣體傳感器是由楊勇;尤見賢;朱玉林;俞挺;袁彩雷設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2024-12-26向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

NiO/Ag/ZnIn2S4異質(zhì)結(jié)納米片陣列及其制備方法和室溫氣體傳感器在說明書摘要公布了:本發(fā)明屬于納米材料異質(zhì)結(jié)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及NiOAgZnIn2S4異質(zhì)結(jié)納米片陣列及其制備方法和室溫氣體傳感器。其包括襯底以及原位生長在襯底表面的NiOAgZnIn2S4異質(zhì)結(jié)納米片陣列;NiOAgZnIn2S4異質(zhì)結(jié)納米片陣列由NiO多孔納米片、Ag納米顆粒和ZnIn2S4納米片構(gòu)成,其中NiO納米片為垂直交錯(cuò)生長的陣列結(jié)構(gòu),Ag納米顆粒均勻的分散在NiO多孔納米片表面,ZnIn2S4納米片包裹住NiO多孔納米片。本發(fā)明的制備過程簡單,成本低,NiOAgZnIn2S4異質(zhì)結(jié)納米片陣列具有良好的異質(zhì)界面接觸,Ag納米顆粒的存在促進(jìn)了NiO與ZnIn2S4之間的電子轉(zhuǎn)移,ZnIn2S4的包裹增加了材料的比表面積。NiOAgZnIn2S4異質(zhì)結(jié)納米片陣列可以應(yīng)用在室溫氣體傳感器中,具體在白光激發(fā)下三乙胺的室溫高選擇性檢測。

本發(fā)明授權(quán)NiO/Ag/ZnIn2S4異質(zhì)結(jié)納米片陣列及其制備方法和室溫氣體傳感器在權(quán)利要求書中公布了:1.一種NiOAgZnIn2S4異質(zhì)結(jié)納米片陣列,其特征在于,包括襯底以及原位生長在所述襯底表面的NiOAgZnIn2S4異質(zhì)結(jié)納米片陣列,所述NiOAgZnIn2S4異質(zhì)結(jié)陣列由NiO多孔納米片、Ag納米顆粒和ZnIn2S4納米片構(gòu)成;其中,所述NiO多孔納米片為垂直交錯(cuò)生長的陣列結(jié)構(gòu),所述Ag納米顆粒均勻的分散在所述NiO多孔納米片表面,所述ZnIn2S4包裹住所述NiO多孔納米片;所述NiO多孔納米片的橫向尺寸為50nm~150nm,所述Ag納米顆粒的尺寸為1nm~20nm,所述ZnIn2S4納米片包裹的厚度為10nm~50nm;所述Ag納米顆粒的負(fù)載量為2wt%~3wt%;所述NiOAgZnIn2S4的比表面積為90m2g~100m2g;所述NiOAgZnIn2S4異質(zhì)結(jié)納米片陣列的制備方法,包括以下步驟:采用水熱法結(jié)合退火處理在襯底表面生長NiO多孔納米片,所述NiO多孔納米片為垂直交錯(cuò)生長的陣列結(jié)構(gòu);通過光沉積在所述NiO多孔納米片表面修飾Ag納米顆粒,得到中間產(chǎn)物NiOAg納米片陣列;采用水浴法在所述NiOAg納米片陣列表面生長ZnIn2S4納米片,得到最終產(chǎn)物NiOAgZnIn2S4異質(zhì)結(jié)納米片陣列。

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