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龍圖騰網恭喜江西師范大學申請的專利NiO/Ag/ZnIn₂S₄異質結納米片陣列及其制備方法和室溫氣體傳感器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119349655B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411934423.0，技術領域涉及：C01G53/04；該發明授權NiO/Ag/ZnIn₂S₄異質結納米片陣列及其制備方法和室溫氣體傳感器是由楊勇;尤見賢;朱玉林;俞挺;袁彩雷設計研發完成，并于2024-12-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本NiO/Ag/ZnIn₂S₄異質結納米片陣列及其制備方法和室溫氣體傳感器在說明書摘要公布了：本發明屬于納米材料異質結技術領域，具體涉及NiOAgZnIn2S4異質結納米片陣列及其制備方法和室溫氣體傳感器。其包括襯底以及原位生長在襯底表面的NiOAgZnIn2S4異質結納米片陣列；NiOAgZnIn2S4異質結納米片陣列由NiO多孔納米片、Ag納米顆粒和ZnIn2S4納米片構成，其中NiO納米片為垂直交錯生長的陣列結構，Ag納米顆粒均勻的分散在NiO多孔納米片表面，ZnIn2S4納米片包裹住NiO多孔納米片。本發明的制備過程簡單，成本低，NiOAgZnIn2S4異質結納米片陣列具有良好的異質界面接觸，Ag納米顆粒的存在促進了NiO與ZnIn2S4之間的電子轉移，ZnIn2S4的包裹增加了材料的比表面積。NiOAgZnIn2S4異質結納米片陣列可以應用在室溫氣體傳感器中，具體在白光激發下三乙胺的室溫高選擇性檢測。

本發明授權NiO/Ag/ZnIn₂S₄異質結納米片陣列及其制備方法和室溫氣體傳感器在權利要求書中公布了：1.一種NiOAgZnIn2S4異質結納米片陣列，其特征在于，包括襯底以及原位生長在所述襯底表面的NiOAgZnIn2S4異質結納米片陣列，所述NiOAgZnIn2S4異質結陣列由NiO多孔納米片、Ag納米顆粒和ZnIn2S4納米片構成；其中，所述NiO多孔納米片為垂直交錯生長的陣列結構，所述Ag納米顆粒均勻的分散在所述NiO多孔納米片表面，所述ZnIn2S4包裹住所述NiO多孔納米片；所述NiO多孔納米片的橫向尺寸為50nm~150nm，所述Ag納米顆粒的尺寸為1nm~20nm，所述ZnIn2S4納米片包裹的厚度為10nm~50nm；所述Ag納米顆粒的負載量為2wt%~3wt%；所述NiOAgZnIn2S4的比表面積為90m2g~100m2g；所述NiOAgZnIn2S4異質結納米片陣列的制備方法，包括以下步驟：采用水熱法結合退火處理在襯底表面生長NiO多孔納米片，所述NiO多孔納米片為垂直交錯生長的陣列結構；通過光沉積在所述NiO多孔納米片表面修飾Ag納米顆粒，得到中間產物NiOAg納米片陣列；采用水浴法在所述NiOAg納米片陣列表面生長ZnIn2S4納米片，得到最終產物NiOAgZnIn2S4異質結納米片陣列。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西師范大學，其通訊地址為：330000 江西省南昌市高新技術開發區紫陽大道99號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。