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龍圖騰網恭喜蘇州長光華芯光電技術股份有限公司;蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司申請的專利一種高均勻性二維VCSEL激光器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119381893B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411962956.X，技術領域涉及：H01S5/42；該發明授權一種高均勻性二維VCSEL激光器及其制備方法是由劉恒;高元斌;王俊;郭帥;苗霈;肖垚;閔大勇;李泉靈設計研發完成，并于2024-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高均勻性二維VCSEL激光器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種高均勻性二維VCSEL激光器及其制備方法。該激光器包括多個發光單元組成的多行多列的二維陣列；每個發光單元自下而上依次形成有絕緣襯底層、N型導電層、二維電子氣層、刻蝕截止層、N?DBR層、延長腔、有源區、P?DBR層、P?contact層；在每個發光單元中的P?contact層上形成有多個上電極，在P?contact層上未形成上電極的區域形成有多個介質膜層，介質膜層向下延伸至二維電子氣層；在上電極和介質膜層的上表面形成P?電鍍層，各介質膜層的下部之間形成有N?電鍍層。本發明中的一種高均勻性二維VCSEL激光器及其制備方法一方面克服了共面電極尋址VCSEL厚導電層導致的外延層應力積累問題，另一方面提升了電子在n面橫向輸運的均勻性和不同發光區發光均勻性。

本發明授權一種高均勻性二維VCSEL激光器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種高均勻性二維VCSEL激光器，其特征在于：包括多個發光單元，各所述發光單元組成多行多列的二維陣列；每個所述發光單元自下而上依次形成有絕緣襯底層、N型導電層、二維電子氣層、刻蝕截止層、N-DBR層、延長腔、有源區、P-DBR層、P-contact層；在每個所述發光單元中的所述P-contact層上形成有多個上電極并且正極及負極均處于同一面，在所述P-contact層上未形成所述上電極的區域形成有多個介質膜層，所述介質膜層向下延伸至所述二維電子氣層，所述二維電子氣層具備高電子遷移率；各所述介質膜層的下部被N-contact層截斷，所述N-contact層形成在所述二維電子氣層的上表面；在所述上電極和所述介質膜層的上表面形成P-電鍍層，各所述介質膜層的下部之間形成有N-電鍍層，所述P-電鍍層和所述N-電鍍層之間設置有填平介質層。

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