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龍圖騰網(wǎng)恭喜中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);合肥國家實驗室申請的專利利用反應(yīng)磁控濺射制備薄膜的工藝調(diào)試方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119433480B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-18發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510026554.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C14/35；該發(fā)明授權(quán)利用反應(yīng)磁控濺射制備薄膜的工藝調(diào)試方法是由霍永恒;李珂宇;鐘東勳;潘建偉設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-01-08向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本利用反應(yīng)磁控濺射制備薄膜的工藝調(diào)試方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種利用反應(yīng)磁控濺射制備薄膜的工藝調(diào)試方法，該方法包括：步驟一，根據(jù)靶材表面的電弧放電情況，確定反應(yīng)磁控濺射的目標(biāo)工作功率和工作氣體的目標(biāo)流量；步驟二，基于目標(biāo)工作功率和工作氣體的目標(biāo)流量，在輔助源的不同功率下測量反應(yīng)磁控濺射制備的薄膜的表面粗糙度，將滿足小于0.2nm的表面粗糙度對應(yīng)的輔助源功率確定為目標(biāo)輔助源功率；步驟三，基于目標(biāo)工作功率、工作氣體的目標(biāo)流量和目標(biāo)輔助源功率，使用不同流量的反應(yīng)氣體，通過弱吸收分析方法測試襯底表面的薄膜的吸收損耗，吸收損耗用于表征反應(yīng)磁控濺射制備薄膜的反應(yīng)程度，將滿足10ppm以下的吸收損耗對應(yīng)的反應(yīng)氣體流量確定為目標(biāo)反應(yīng)氣體流量。

本發(fā)明授權(quán)利用反應(yīng)磁控濺射制備薄膜的工藝調(diào)試方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種利用反應(yīng)磁控濺射制備薄膜的工藝調(diào)試方法，其特征在于，包括：步驟一，根據(jù)靶材表面的電弧放電情況，確定反應(yīng)磁控濺射的目標(biāo)工作功率和工作氣體的目標(biāo)流量；步驟二，基于目標(biāo)工作功率和工作氣體的目標(biāo)流量，在輔助源的不同功率下測量反應(yīng)磁控濺射制備的薄膜的表面粗糙度，將滿足小于0.2nm的表面粗糙度對應(yīng)的輔助源功率確定為目標(biāo)輔助源功率；步驟三，基于目標(biāo)工作功率、工作氣體的目標(biāo)流量和目標(biāo)輔助源功率，使用不同流量的反應(yīng)氣體，通過弱吸收分析方法測試襯底表面的薄膜的吸收損耗，所述吸收損耗用于表征反應(yīng)磁控濺射制備薄膜的反應(yīng)程度，將滿足10ppm以下的吸收損耗對應(yīng)的反應(yīng)氣體流量確定為目標(biāo)反應(yīng)氣體流量；輔助源功率和或反應(yīng)氣體的流量是遞增的；在所述吸收損耗低于1000ppm時，流量的遞增幅度為1sccm；在所述吸收損耗剛下降至低于10ppm時，將此時的反應(yīng)氣體流量確定為目標(biāo)反應(yīng)氣體流量。

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