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恭喜中國科學技術大學;合肥國家實驗室霍永恒獲國家專利權

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龍圖騰網恭喜中國科學技術大學;合肥國家實驗室申請的專利利用反應磁控濺射制備薄膜的工藝調試方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN119433480B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510026554.7,技術領域涉及:C23C14/35;該發明授權利用反應磁控濺射制備薄膜的工藝調試方法是由霍永恒;李珂宇;鐘東勳;潘建偉設計研發完成,并于2025-01-08向國家知識產權局提交的專利申請。

利用反應磁控濺射制備薄膜的工藝調試方法在說明書摘要公布了:本發明提供了一種利用反應磁控濺射制備薄膜的工藝調試方法,該方法包括:步驟一,根據靶材表面的電弧放電情況,確定反應磁控濺射的目標工作功率和工作氣體的目標流量;步驟二,基于目標工作功率和工作氣體的目標流量,在輔助源的不同功率下測量反應磁控濺射制備的薄膜的表面粗糙度,將滿足小于0.2nm的表面粗糙度對應的輔助源功率確定為目標輔助源功率;步驟三,基于目標工作功率、工作氣體的目標流量和目標輔助源功率,使用不同流量的反應氣體,通過弱吸收分析方法測試襯底表面的薄膜的吸收損耗,吸收損耗用于表征反應磁控濺射制備薄膜的反應程度,將滿足10ppm以下的吸收損耗對應的反應氣體流量確定為目標反應氣體流量。

本發明授權利用反應磁控濺射制備薄膜的工藝調試方法在權利要求書中公布了:1.一種利用反應磁控濺射制備薄膜的工藝調試方法,其特征在于,包括:步驟一,根據靶材表面的電弧放電情況,確定反應磁控濺射的目標工作功率和工作氣體的目標流量;步驟二,基于目標工作功率和工作氣體的目標流量,在輔助源的不同功率下測量反應磁控濺射制備的薄膜的表面粗糙度,將滿足小于0.2nm的表面粗糙度對應的輔助源功率確定為目標輔助源功率;步驟三,基于目標工作功率、工作氣體的目標流量和目標輔助源功率,使用不同流量的反應氣體,通過弱吸收分析方法測試襯底表面的薄膜的吸收損耗,所述吸收損耗用于表征反應磁控濺射制備薄膜的反應程度,將滿足10ppm以下的吸收損耗對應的反應氣體流量確定為目標反應氣體流量;輔助源功率和或反應氣體的流量是遞增的;在所述吸收損耗低于1000ppm時,流量的遞增幅度為1sccm;在所述吸收損耗剛下降至低于10ppm時,將此時的反應氣體流量確定為目標反應氣體流量。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學技術大學;合肥國家實驗室,其通訊地址為:230026 安徽省合肥市包河區金寨路96號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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