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龍圖騰網(wǎng)恭喜株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111788696B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201980015985.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/67；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法是由畑勇氣;櫪林克明;菅尾惇平;山崎舜平設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-02-18向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：提供一種通態(tài)電流大的半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置包括：第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第三氧化物；第三氧化物上的第一絕緣體；第一絕緣體上的導(dǎo)電體；與第二氧化物及第三氧化物接觸的第二絕緣體；以及第二絕緣體上的第三絕緣體，其中，第二氧化物包括第一區(qū)域至第五區(qū)域，第一區(qū)域及第二區(qū)域的電阻比第三區(qū)域的電阻低，第四區(qū)域及第五區(qū)域的電阻比第三區(qū)域的電阻低且比第一區(qū)域及第二區(qū)域的電阻高，并且，導(dǎo)電體以與第三區(qū)域、第四區(qū)域及第五區(qū)域重疊的方式設(shè)置在第三區(qū)域、第四區(qū)域及第五區(qū)域的上方。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟：形成第一氧化物及所述第一氧化物上的第二氧化物；以覆蓋所述第一氧化物及所述第二氧化物的方式形成第一絕緣膜；在所述第一絕緣膜上以與所述第二氧化物重疊的方式形成第一偽柵極；以所述第一偽柵極為掩模對(duì)所述第二氧化物添加第一摻雜劑，從而在所述第二氧化物中形成不與所述第一偽柵極重疊的一對(duì)第一區(qū)域，所述一對(duì)第一區(qū)域具有第一電阻和第一載流子密度；去除所述第一偽柵極的一部分來形成第二偽柵極，并使所述第二氧化物的一部分從所述第二偽柵極露出；以所述第二偽柵極為掩模對(duì)所述第二氧化物添加第二摻雜劑，從而在所述第二氧化物中形成不與所述第二偽柵極和所述一對(duì)第一區(qū)域重疊的一對(duì)第二區(qū)域，所述一對(duì)第二區(qū)域具有第二電阻和第二載流子密度；以覆蓋所述第一絕緣膜及所述第二偽柵極的方式形成第二絕緣膜；在所述第二絕緣膜上形成第三絕緣膜；直到使所述第二偽柵極的頂部露出為止去除所述第二絕緣膜的一部分及所述第三絕緣膜的一部分；去除所述第二偽柵極、所述第二絕緣膜的一部分及所述第一絕緣膜的一部分來形成開口；以嵌入在所述開口中的方式依次形成第三氧化物、第四絕緣膜及導(dǎo)電膜；以及直到使所述第三絕緣膜的頂部露出為止去除所述第三氧化物的一部分、所述第四絕緣膜的一部分及所述導(dǎo)電膜的一部分，所述第二電阻高于所述第一電阻，所述第一電阻和所述第二電阻低于所述第二氧化物中形成溝道的第三區(qū)域的第三電阻，所述第三區(qū)域不與所述一對(duì)第一區(qū)域和所述一對(duì)第二區(qū)域重疊，所述第二載流子密度低于所述第一載流子密度，并且，所述第一載流子密度和所述第二載流子密度高于所述第三區(qū)域的第三載流子密度。

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