恭喜京瓷AVX元器件公司J.A.霍恩獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜京瓷AVX元器件公司申請的專利具有超寬帶性能的多層陶瓷電容器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114709075B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210319518.6，技術領域涉及：H01G4/30；該發明授權具有超寬帶性能的多層陶瓷電容器是由J.A.霍恩;M.貝羅利尼設計研發完成，并于2019-03-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有超寬帶性能的多層陶瓷電容器在說明書摘要公布了：公開了一種多層陶瓷電容器，其包括沿著電容器的第一端設置的第一外部端子、沿著電容器的與第一端相對的第二端設置的第二外部端子、包含交替的電介質層和有源電極層的有源電極區域、以及包括至少兩個屏蔽電極的屏蔽電極區域，所述至少兩個屏蔽電極在縱向方向上通過屏蔽層間隙間隔開。從有源電極區域到屏蔽電極區域的距離的范圍可以為電容器在頂表面和與頂表面相對的底表面之間的厚度的約4％到約20％。在頂表面或底表面中的至少一個上，屏蔽層間隙的范圍可以為在縱向方向上第一外部端子和第二外部端子之間的外部端子間隙的從約3％到約60％。
本發明授權具有超寬帶性能的多層陶瓷電容器在權利要求書中公布了：1.一種多層陶瓷電容器，包括：沿著所述電容器的第一端設置的第一外部端子；沿著所述電容器的第二端設置的第二外部端子，所述第二端在縱向方向上與所述第一端相對；包含交替的電介質層和有源電極層的有源電極區域；以及包含至少兩個屏蔽電極的屏蔽電極區域，所述至少兩個屏蔽電極在所述縱向方向上通過屏蔽層間隙間隔開；其中：從所述有源電極區域到所述屏蔽電極區域的距離為所述電容器在頂表面和與所述頂表面相對的底表面之間的厚度的4％到20％。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人京瓷AVX元器件公司，其通訊地址為：美國南卡羅來納州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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