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恭喜蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;包頭阿特斯陽光能源科技有限公司周碩獲國家專利權

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龍圖騰網(wǎng)恭喜蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;包頭阿特斯陽光能源科技有限公司申請的專利用于晶體硅鑄錠的籽晶層結構與晶體硅錠的生產(chǎn)方法獲國家發(fā)明授權專利權,本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予,授權公告號為:CN112391672B

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉:該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為:201910740930.3,技術領域涉及:C30B11/02;該發(fā)明授權用于晶體硅鑄錠的籽晶層結構與晶體硅錠的生產(chǎn)方法是由周碩設計研發(fā)完成,并于2019-08-12向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

用于晶體硅鑄錠的籽晶層結構與晶體硅錠的生產(chǎn)方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供了一種用于晶體硅鑄錠的籽晶層結構與晶體硅錠的生產(chǎn)方法,該籽晶層結構包括若干籽晶組,每一籽晶組包括若干沿第一方向依次排布的籽晶,所述籽晶具有頂面及沿周向首尾依次相接的四個拼接面,所述籽晶組中兩個相鄰籽晶間的接縫與另一相鄰籽晶組中位置相對應的兩個相鄰籽晶間的接縫呈錯位設置。采用上述籽晶層結構進行晶體硅錠的生產(chǎn),相鄰籽晶間的接縫可在鑄錠過程中形成穩(wěn)定的三叉晶界,減少位錯增殖,降低缺陷密度。

本發(fā)明授權用于晶體硅鑄錠的籽晶層結構與晶體硅錠的生產(chǎn)方法在權利要求書中公布了:1.一種用于晶體硅鑄錠的籽晶層結構,包括若干籽晶組,每一籽晶組包括若干沿第一方向依次排布的籽晶,所述籽晶具有頂面及沿周向首尾依次相接的四個拼接面,其特征在于:所述籽晶組中兩個相鄰籽晶間的接縫與另一相鄰籽晶組中位置相對應的兩個相鄰籽晶間的接縫呈錯位設置;所述籽晶包括在單晶硅棒上沿不同晶面切割得到的第一籽晶、第二籽晶與第三籽晶,任意兩個第一籽晶、兩個第二籽晶、兩個第三籽晶在水平方向上均呈相互間隔設置。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;包頭阿特斯陽光能源科技有限公司,其通訊地址為:215000 江蘇省蘇州市高新區(qū)鹿山路199號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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