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龍圖騰網(wǎng)恭喜上海功成半導(dǎo)體科技有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113540205B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202010286671.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)是由王鵬;徐大朋;羅杰馨;柴展設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-04-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)包括：第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底；第一導(dǎo)電類(lèi)型的外延結(jié)構(gòu)，外延結(jié)構(gòu)包括至少兩層外延單元層，且至少兩層具有不同的摻雜濃度；溝槽結(jié)構(gòu)以及形成于溝槽結(jié)構(gòu)中的第二導(dǎo)電類(lèi)型的柱結(jié)構(gòu)。本發(fā)明在制備外延結(jié)構(gòu)的過(guò)程中，制備出包括少兩層外延單元層的外延結(jié)構(gòu)，且外延單元層中的至少兩層具有不同的摻雜濃度，可以基于上述材料層的設(shè)置改變形成在外延結(jié)構(gòu)中的溝槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的形貌，從而可以使得在溝槽結(jié)構(gòu)中形成的柱結(jié)構(gòu)的形貌依據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行改進(jìn)，可以改變溝槽結(jié)構(gòu)側(cè)壁與底部之間的傾斜情況，即改變柱結(jié)構(gòu)側(cè)壁與底部之間的傾斜情況，進(jìn)而可以改善由其引起的電容急劇變化的問(wèn)題。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)包括：第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底；所述第一導(dǎo)電類(lèi)型的外延結(jié)構(gòu)，所述外延結(jié)構(gòu)形成于所述半導(dǎo)體襯底上，且所述外延結(jié)構(gòu)包括至少兩層外延單元層，所述外延單元層中的至少兩層具有不同的摻雜濃度，各層所述外延單元層的摻雜濃度自所述半導(dǎo)體襯底向上依次遞減變化；溝槽結(jié)構(gòu)，形成于所述外延結(jié)構(gòu)中；各所述外延單元層的濃度變化用于使形成的溝槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁發(fā)生變化，減小溝槽結(jié)構(gòu)側(cè)壁與底部之間的夾角；第二導(dǎo)電類(lèi)型的柱結(jié)構(gòu)，所述柱結(jié)構(gòu)形成于所述溝槽結(jié)構(gòu)中。

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