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龍圖騰網(wǎng)恭喜高通股份有限公司申請的專利FinFET半導(dǎo)體設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114207819B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202080054604.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/83；該發(fā)明授權(quán)FinFET半導(dǎo)體設(shè)備是由楊斌;楊海寧;李夏設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-05-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本FinFET半導(dǎo)體設(shè)備在說明書摘要公布了：公開了一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括襯底上的多個(gè)鰭片。長溝道柵極設(shè)置在多個(gè)鰭片的第一部分上方。提供了一種柵極接觸，具有延伸部分，該延伸部分從有源區(qū)域外部的柵極接觸基底延伸到有源區(qū)域中。

本發(fā)明授權(quán)FinFET半導(dǎo)體設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括：多個(gè)鰭片，位于襯底上；長溝道設(shè)備，所述長溝道設(shè)備具有長溝道柵極，所述長溝道柵極被設(shè)置在所述多個(gè)鰭片的第一部分上方；以及柵極接觸，具有柵極接觸基底和從有源區(qū)域外部的所述柵極接觸基底延伸到所述有源區(qū)域中的延伸部分；短溝道設(shè)備，所述短溝道設(shè)備具有短溝道柵極，所述短溝道柵極被設(shè)置在所述襯底的第二部分上的所述多個(gè)鰭片的第二部分上方；以及第二柵極接觸，所述第二柵極接觸位于所述多個(gè)鰭片的所述第二部分的第二有源區(qū)域外部，其中所述短溝道柵極是有源的，其中所述延伸部分允許附加的調(diào)諧參數(shù)調(diào)整所述長溝道設(shè)備的閾值電壓，使得所述長溝道設(shè)備的所述閾值電壓被調(diào)整為高于目標(biāo)閾值電壓約10mV至20mV內(nèi)，同時(shí)所述短溝道設(shè)備的閾值電壓低于所述目標(biāo)閾值電壓約10mV至20mV內(nèi)。

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