恭喜英韌科技股份有限公司請求不公布姓名獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜英韌科技股份有限公司申請的專利耐用性預知的NAND閃存管理獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114121110B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202111493176.1,技術領域涉及:G11C16/34;該發明授權耐用性預知的NAND閃存管理是由請求不公布姓名;請求不公布姓名;請求不公布姓名;請求不公布姓名設計研發完成,并于2021-12-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本耐用性預知的NAND閃存管理在說明書摘要公布了:耐用性預知的NAND閃存管理。提供了用于在非易失性存儲系統中執行編程操作的系統、裝置和方法。在一個實施例中,提供了一種方法,該方法可以包括:基于包括頁錯誤計數、編程時間和編程擦除PE循環數的多個因素,將非易失性存儲設備的活動存儲塊分類為耐用組和非耐用組;確定需要執行高速緩存編程操作;從耐用組中選擇第一存儲塊以執行高速緩存編程操作;確定需要執行常規編程操作;以及從非耐用組中選擇第二存儲塊以執行常規編程操作。
本發明授權耐用性預知的NAND閃存管理在權利要求書中公布了:1.一種耐用性預知的NAND閃存管理方法,其特征在于,包括:基于包括頁錯誤計數、編程時間和編程擦除循環數的多個因素,將非易失性存儲設備的活動存儲塊分類為耐用組和非耐用組;確定需要執行高速緩存編程操作,所述高速緩存編程操作包括將在完成從高速緩存緩沖器到數據緩沖器的數據傳輸時應答SSD控制器;從所述耐用組中選擇第一存儲塊以執行所述高速緩存編程操作;確定需要執行常規編程操作,所述常規編程操作在完成從高速緩存緩沖器到NAND存儲單元陣列的數據傳輸之前不應答SSD控制器;和從所述非耐用組中選擇第二存儲塊以執行所述常規編程操作。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人英韌科技股份有限公司,其通訊地址為:201210 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區盛夏路565弄40號601-606室(名義樓層6層,實際樓層5層);或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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