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龍圖騰網恭喜廣東工業大學申請的專利3D NAND閃存參考電壓優化調節方法、系統及介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114242136B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111604633.X，技術領域涉及：G11C16/04；該發明授權3D NAND閃存參考電壓優化調節方法、系統及介質是由韓國軍;朱廣平;劉暢;張孝誼設計研發完成，并于2021-12-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本3D NAND閃存參考電壓優化調節方法、系統及介質在說明書摘要公布了：本發明公開了3DNAND閃存參考電壓優化調節方法、系統及介質，方法包括以下步驟：S1：隨機選擇NAND閃存塊并依次添加PEC噪聲、Retention噪聲、Read噪聲，對添加噪聲后的NAND閃存塊分別進行PEC?Ret閾值電壓檢測和PEC?Ret?Read閾值電壓檢測；S2：利用PEC?Ret閾值電壓和PEC?Ret?Read閾值電壓建立參考電壓調節模型；S3：利用參考電壓調節模型計算參考電壓偏移值，利用參考電壓偏移值從NAND閃存塊讀取數據。本發明在構建參考電壓調節模型時綜合多維度噪聲及噪聲耦合，同時利用最優參考電壓建立參考電壓調節模型采用了不同階數的模型擬合并添加相應的約束，本發明提高了參考電壓調節的準確性，適用于不同類型的閃存。

本發明授權3D NAND閃存參考電壓優化調節方法、系統及介質在權利要求書中公布了：1.一種3DNAND閃存參考電壓優化調節方法，其特征在于，包括以下步驟：S1：隨機選擇NAND閃存塊并依次添加PEC噪聲、Retention噪聲、Read噪聲，對添加噪聲后的NAND閃存塊分別進行PEC-Ret閾值電壓檢測和PEC-Ret-Read閾值電壓檢測得到對應的最優參考電壓，具體步驟為：隨機選擇NAND閃存塊并依次添加PEC噪聲、Retention噪聲得到的閃存塊記為第一閃存塊，對第一閃存塊添加Read噪聲記為第二閃存塊；檢測第一閃存塊的PEC-Ret閾值電壓計數，利用PEC-Ret閾值電壓計數擬合PEC-Ret閾值電壓分布，求解PEC-Ret閾值電壓分布中相鄰存儲狀態的交點，得到PEC-Ret最優參考電壓；檢測第二閃存塊的PEC-Ret-Read閾值電壓計數，利用PEC-Ret-Read閾值電壓計數擬合PEC-Ret-Read閾值電壓分布，求解PEC-Ret-Read閾值電壓分布中相鄰存儲狀態的交點，得到PEC-Ret-Read最優參考電壓；S2：利用PEC-Ret最優參考電壓和PEC-Ret-Read最優參考電壓建立參考電壓調節模型，具體步驟為：將PEC-Ret最優參考電壓、PEC和Ret輸入至第一數學模型進行擬合，輸出系數a、b、c、f和i，所述第一數學模型表達式為：Vopt1＝a+b*PEC+c*logRet.+f*PEC*logRet+i*log2Ret其中，Vopt1是PEC-Retention噪聲下的最優參考電壓，a為常數，b表示PEC噪聲系數，c表示DataRetention時長對數的噪聲系數，f表示PEC和DataRetention時長對數噪聲的耦合系數，i表示PEC和DataRetention時長對數噪聲的耦合系數，所述PEC表示閃存擦寫次數，Ret表示DataRetetnion時長；將PEC-Ret-Read最優參考電壓、PEC、Read、關于PEC的已知系數b和系數a輸入至第二數學模型進行擬合，輸出系數d、g，所述第二數學模型表達式為：Vopt2＝a+b*PEC+d*Read+g*PEC*Read其中，Vopt2是PEC-Read噪聲下的最優參考電壓，d表示ReadDisturb噪聲系數，g表示PEC和ReadDisturb噪聲耦合系數；將PEC-Ret最優參考電壓、PEC、Layer、關于PEC的已知系數b和系數a輸入至第三數學模型進行擬合，輸出系數e、h，所述第三數學模型表達式為：Vopt3＝a+b*PEC+e*Layer+h*PEC*Layer其中，Vopt3是PEC-Layer噪聲下的最優參考電壓，e表示LayerVariation噪聲系數，h表示PEC和LayerVariation噪聲的耦合系數，Layer表示閃存層數；將求得的系數a-i輸入至原始數學模型，得到最終參考電壓調節模型，所述原始數學模型表達式為：Vopt＝a+b*PEC+c*logRet+d*Read+e*Layer+f*PEC*logRet+g*PEC*Read+h*PEC*Layer+i*log2Ret其中，Vopt是PEC-Retention-Read-Layer噪聲下的最優參考電壓；S3：利用參考電壓調節模型計算參考電壓偏移值，利用參考電壓偏移值從NAND閃存塊讀取數據。

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