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恭喜朗姆研究公司法亞茲·謝赫獲國家專利權

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龍圖騰網恭喜朗姆研究公司申請的專利針對PECVD金屬摻雜的碳硬掩模的均質界面的沉積系統和方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN111357082B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:201880074443.1,技術領域涉及:H01L21/033;該發明授權針對PECVD金屬摻雜的碳硬掩模的均質界面的沉積系統和方法是由法亞茲·謝赫設計研發完成,并于2018-11-06向國家知識產權局提交的專利申請。

針對PECVD金屬摻雜的碳硬掩模的均質界面的沉積系統和方法在說明書摘要公布了:一種在襯底上沉積硬掩模層的方法包含:氮化所述襯底的第一層。所述第一層選自由二氧化硅與氮化硅組成的群組。通過等離子體增強化學氣相沉積PECVD在氮化后的所述第一層上沉積非晶碳層。使用氣體混合物并且在沒有等離子體的情況下在所述非晶碳層上沉積單層,所述氣體混合物包含帶有還原劑的金屬前體氣體。在所述單層上沉積主體金屬摻雜的碳硬掩模層。

本發明授權針對PECVD金屬摻雜的碳硬掩模的均質界面的沉積系統和方法在權利要求書中公布了:1.一種在襯底上沉積硬掩模層的方法,其包含:氮化所述襯底的第一層,其中所述第一層選自由二氧化硅與氮化硅組成的群組;通過等離子體增強化學氣相沉積PECVD在氮化后的所述第一層上沉積非晶碳層;使用氣體混合物并且在沒有等離子體的情況下在所述非晶碳層上沉積單層,所述氣體混合物包含帶有還原劑的金屬前體氣體;以及在所述單層上沉積主體金屬摻雜的碳硬掩模層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司,其通訊地址為:美國加利福尼亞州;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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