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龍圖騰網恭喜紹興中芯集成電路制造股份有限公司申請的專利半導體結構的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114864485B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210389762.X，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體結構的制備方法是由汪旭東設計研發完成，并于2022-04-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構的制備方法在說明書摘要公布了：本公開涉及一種半導體結構的制備方法。所述方法包括：提供基底，所述基底的表面形成有層間介質層；刻蝕所述層間介質層，以于所述層間介質層內形成初始互連孔，所述初始互連孔的底部留有部分層間介質層；對上述所得結構進行熱氧化處理，以使所述初始互連孔底部的所述部分層間介質層形成熱氧化層；通過所述熱氧化層向所述基底進行離子注入以使基底表面形成損傷層；刻蝕所述熱氧化層，以暴露出所述基底表面的損傷層；于所述基底表面的損傷層上形成金屬層及金屬化合物層，所述金屬化合物層位于所述基底的表面，所述金屬層位于所述金屬化合物層遠離所述基底的表面。采用本方法能夠改善所得半導體結構中金屬層的宏觀形貌和微觀形貌。

本發明授權半導體結構的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：提供基底，所述基底的表面形成有層間介質層；刻蝕所述層間介質層，以于所述層間介質層內形成初始互連孔，所述初始互連孔的底部留有部分層間介質層；對上述步驟中所得結構進行熱氧化處理，以使所述初始互連孔底部的所述部分層間介質層形成熱氧化層；通過所述熱氧化層向所述基底進行離子注入以使基底表面形成損傷層；刻蝕所述熱氧化層，以暴露出所述基底表面的損傷層；于所述基底表面的損傷層上形成金屬層及金屬化合物層，所述金屬化合物層位于所述基底的表面，所述金屬層位于所述金屬化合物層遠離所述基底的表面。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人紹興中芯集成電路制造股份有限公司，其通訊地址為：312000 浙江省紹興市越城區皋埠鎮臨江路518號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。