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龍圖騰網(wǎng)恭喜合肥晶威特電子有限責(zé)任公司申請(qǐng)的專利一種光刻wafer音叉晶片的頻率測(cè)量方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115078826B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210493970.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01R23/02；該發(fā)明授權(quán)一種光刻wafer音叉晶片的頻率測(cè)量方法是由陳維彥;侯詩(shī)益;汪鑫;董書霞;袁亮;王杰;丁一奇;王磊;呂成;徐茂東;汪洋;葛軍;馬文勇設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-04-29向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種光刻wafer音叉晶片的頻率測(cè)量方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種光刻wafer音叉晶片的頻率測(cè)量方法，測(cè)量?jī)x器包括定位平臺(tái)，其內(nèi)部開設(shè)有與負(fù)壓源連通的負(fù)壓管路；wafer片，固定在定位平臺(tái)上；測(cè)量系統(tǒng)，設(shè)置在wafer片上方，測(cè)量系統(tǒng)的探針與頻率計(jì)連接，探針依序?qū)afer片上的各音叉晶片的根部施加振動(dòng)；負(fù)壓孔，開設(shè)在定位平臺(tái)上并與負(fù)壓管路連通，負(fù)壓孔與音叉晶片位置對(duì)應(yīng)；所述探針施加振動(dòng)時(shí)負(fù)壓孔關(guān)閉，所述探針離開音叉晶片后負(fù)壓孔開啟。本發(fā)明快速消耗音叉晶片的振動(dòng)能量，從而結(jié)束該區(qū)域音叉晶片的起振，使得探針到達(dá)下一測(cè)量的音叉晶片時(shí)可直接進(jìn)行測(cè)量，大幅提高了測(cè)量效率。

本發(fā)明授權(quán)一種光刻wafer音叉晶片的頻率測(cè)量方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種光刻wafer音叉晶片的頻率測(cè)量方法，其特征在于，包括如下步驟:S1、完成測(cè)量?jī)x器的組裝，該測(cè)量?jī)x器包括定位平臺(tái)，其內(nèi)部開設(shè)有與負(fù)壓源連通的負(fù)壓管路；wafer片，固定在定位平臺(tái)上；測(cè)量系統(tǒng)，設(shè)置在wafer片上方，測(cè)量系統(tǒng)的探針與頻率計(jì)連接，探針依序?qū)afer片上的各音叉晶片的根部施加振動(dòng)；負(fù)壓孔，開設(shè)在定位平臺(tái)上并與負(fù)壓管路連通，負(fù)壓孔與音叉晶片位置對(duì)應(yīng)；所述探針施加振動(dòng)時(shí)負(fù)壓孔關(guān)閉，所述探針離開音叉晶片后負(fù)壓孔開啟；S2、將wafer片放置在定位平臺(tái)上，使wafer片與各定位凸起抵接，啟動(dòng)負(fù)壓源確保wafer片通過(guò)吸附孔被負(fù)壓吸附固定，此時(shí)電磁閥關(guān)閉；S3、調(diào)整X向滑臺(tái)、Y向滑臺(tái)、Z向滑臺(tái)的位置，使探針與第一組音叉晶片根部抵接，CCD識(shí)別系統(tǒng)該音叉晶片進(jìn)行識(shí)別觀測(cè)；S4、探針對(duì)音叉晶片根部施加振動(dòng)，頻率計(jì)測(cè)量該音叉晶片的振動(dòng)頻率，測(cè)量完成后通過(guò)X向滑臺(tái)、Y向滑臺(tái)、Z向滑臺(tái)的相對(duì)移動(dòng)帶動(dòng)探針移動(dòng)至下一音叉晶片根部；S5、步驟S4中，探針移動(dòng)時(shí)電磁閥開啟，通過(guò)負(fù)壓孔對(duì)測(cè)量完的音叉晶片所在區(qū)域施加瞬時(shí)負(fù)壓，并在探針到達(dá)下一音叉晶片根部前關(guān)閉電磁閥；S6、探針到達(dá)下一音叉晶片根部后，重復(fù)步驟S4、S5，沿S型的測(cè)量路徑對(duì)完成全部音叉晶片的測(cè)量，關(guān)閉負(fù)壓源并取出wafer片；所述定位平臺(tái)上開設(shè)有與wafer片表面貼合的吸附孔，所述負(fù)壓管路分流形成與吸附孔連通的第一負(fù)壓通道以及與負(fù)壓孔連通的第二負(fù)壓通道，所述第二負(fù)壓通道上設(shè)置有電磁閥以控制負(fù)壓孔的啟閉。

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