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龍圖騰網恭喜無錫中微億芯有限公司申請的專利可抑制編程干擾的flash型FPGA的配置控制電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115083493B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210758609.X，技術領域涉及：G11C16/34；該發明授權可抑制編程干擾的flash型FPGA的配置控制電路是由曹正州;單悅爾;涂波;何小飛;張艷飛設計研發完成，并于2022-06-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本可抑制編程干擾的flash型FPGA的配置控制電路在說明書摘要公布了：本申請公開了一種可抑制編程干擾的flash型FPGA的配置控制電路，涉及flash型FPGA領域，該配置控制電路相比于常規配置控制電路增加編程選擇電路，在對位于目標行、目標列的flash存儲單元執行編程操作時，編程選擇電路控制編程位線電壓與目標列中位于目標行的flash存儲單元的位線電壓獲取端之間的通路導通、而與目標列中其他行的flash存儲單元的位線電壓獲取端之間的通路斷開，從而避免高壓的編程位線電壓作用在未選中的flash存儲單元上，抑制了因此而產生的編程干擾，避免編程過程帶來的額外延遲。

本發明授權可抑制編程干擾的flash型FPGA的配置控制電路在權利要求書中公布了：1.一種可抑制編程干擾的flash型FPGA的配置控制電路，其特征在于，所述配置控制電路包括字線電路、位線電路和編程選擇電路；所述字線電路包括若干個字線通道，每個所述字線通道分別對應存儲陣列的一行，并用于給對應行內的各個flash存儲單元提供字線電壓；所述位線電路包括若干個位線通道，每個所述位線通道分別對應所述存儲陣列的一列，并用于通過所述編程選擇電路給對應列內的各個flash存儲單元提供位線電壓；在對位于目標行、目標列的flash存儲單元執行編程操作時，通過所述目標行對應的字線通道提供編程字線電壓，通過所述目標列對應的位線通道提供編程位線電壓，通過所述編程選擇電路控制編程位線電壓與目標列中位于目標行的flash存儲單元的位線電壓獲取端之間的通路導通、而與目標列中其他行的flash存儲單元的位線電壓獲取端之間的通路斷開；所述編程選擇電路包括若干個選擇通道和若干個選擇管，每個選擇管對應一個flash存儲單元，所述選擇管的漏極連接對應的flash存儲單元的位線電壓獲取端，同一列的各個flash存儲單元連接的選擇管的源極均相連并連接所在列對應的位線通道；每個選擇通道分別對應所述存儲陣列的一行，同一行的各個flash存儲單元連接的選擇管的柵極均相連并連接所在行對應的選擇通道；所述編程選擇電路通過目標行對應的選擇通道輸出有效電平的選擇電壓、通過其他行對應的選擇通道輸出無效電平的選擇電壓；每個選擇通道包括第一編程開關管、上拉選擇開關管、第二編程開關管和下拉選擇開關管，電源電壓VDD、上拉選擇開關管、第一編程開關管、第二編程開關管和下拉選擇開關管以及負高壓LV1依次相連，第一編程開關管和第二編程開關管的公共端引出用于連接對應行的各個flash存儲單元連接的選擇管的柵極；第二編程開關管受控于編程操作信號，第一編程開關管受控于編程操作信號的互補信號，所述上拉選擇開關管和下拉選擇開關管均受控于選通觸發信號；當對所述flash型FPGA執行編程操作時，編程操作信號為有效電平、所有選擇通道中的第二編程開關管導通、所有選擇通道中的第一編程開關管導通；目標行對應的選擇通道中的選通觸發信號為有效電平、當前選擇通道中的下拉選擇開關管導通、當前選擇通道中的上拉選擇開關管關斷，當前選擇通道輸出負高壓LV1給目標行的flash存儲單元連接的選擇管的柵極控制其導通；其他行對應的選擇通道中的選通觸發信號為無效電平、選擇通道中的上拉選擇開關管導通、選擇通道中的下拉選擇開關管關斷，其他各個選擇通道均輸出電源電壓VDD給對應各行的flash存儲單元連接的選擇管的柵極控制其關斷。

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