買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)恭喜東南大學(xué)申請的專利基于多端口環(huán)形結(jié)的可重構(gòu)頻率MEMS駐波計及制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115327236B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210985907.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01R27/06；該發(fā)明授權(quán)基于多端口環(huán)形結(jié)的可重構(gòu)頻率MEMS駐波計及制備方法是由張志強(qiáng);馮耀剛;李喆然設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-08-16向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本基于多端口環(huán)形結(jié)的可重構(gòu)頻率MEMS駐波計及制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了基于多端口環(huán)形結(jié)的可重構(gòu)頻率MEMS駐波計及制備方法，其主要由環(huán)形定向耦合器、MEMS熱電式微波功率傳感器和MEMS可變電容器構(gòu)成。位于環(huán)形定向耦合器的耦合端口和隔離端口的兩個熱電式MEMS微波功率傳感器分別測量出耦合端口和隔離端口處的輸出微波功率大小，進(jìn)而可得入射微波功率和反射微波功率的大小，從而得到駐波比的大小；六個相同的MEMS可變電容器分別等距放置在環(huán)形定向耦合器上，在驅(qū)動電極上施加不同的驅(qū)動電壓，即可改變MEMS雙端固支梁的高度，從而改變環(huán)形定向耦合器各端口之間的電長度，實現(xiàn)該微波駐波計的工作頻率連續(xù)調(diào)諧。本發(fā)明具有微型化和可調(diào)諧特點，與硅基CMOS工藝兼容，便于集成。

本發(fā)明授權(quán)基于多端口環(huán)形結(jié)的可重構(gòu)頻率MEMS駐波計及制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于多端口環(huán)形結(jié)的可重構(gòu)頻率MEMS駐波計，其特征在于，包括硅襯底13以及設(shè)置在硅襯底13上的由環(huán)形定向耦合器11及其耦合端口16-1、輸入端口16-2、輸出端口16-3與隔離端口16-4組成的CPW1、MEMS可變電容器2、連接線6、壓焊塊12、空氣橋5和兩個熱電式MEMS微波功率傳感器7；由環(huán)形定向耦合器11及其耦合端口16-1、輸入端口16-2、輸出端口16-3與隔離端口16-4組成的CPW1放置在硅襯底13上，組成耦合器的主體結(jié)構(gòu)；其中耦合端口16-1、輸入端口16-2、輸出端口16-3和隔離端口16-4的特征阻抗均為50Ω，環(huán)形定向耦合器11的環(huán)形結(jié)的特征阻抗為70.7Ω；耦合端口16-1、輸入端口16-2、輸出端口16-3及隔離端口16-4的末端均與環(huán)形定向耦合器11環(huán)形結(jié)相連；其中輸出端口16-3和耦合端口16-1位于輸入端口16-2兩側(cè)，且輸出端口16-3和耦合端口16-1和環(huán)形定向耦合11環(huán)形結(jié)的交點與輸入端口16-2和環(huán)形定向耦合11環(huán)形結(jié)的交點的距離均為四分之一波長；輸入端口16-2和隔離端口16-4位于輸出端口16-3兩側(cè)，且輸入端口16-2和隔離端口16-4和環(huán)形定向耦合11環(huán)形結(jié)的交點與輸出端口16-3和環(huán)形定向耦合11環(huán)形結(jié)的交點的距離均為四分之一波長；通過在耦合端口16-1和隔離端口16-4分別連接一個熱電式MEMS微波功率傳感器7，一起構(gòu)成了微型熱電式MEMS集成微波駐波計；將六個MEMS可變電容器2等距放置在環(huán)形定向耦合11環(huán)形結(jié)上方，且其中三個MEMS可變電容器2位于輸入端口16-2和耦合端口16-1中間、輸出端口16-3和輸入端口16-2中間以及隔離端口16-4和輸出端口16-3中間，每個所述的MEMS可變電容器2的上極板為MEMS雙端固支梁3，而下極板為驅(qū)動電極4，MEMS雙端固支梁3橫跨在CPW1信號線上方且兩端通過錨區(qū)分別固定在CPW1信號線兩側(cè)的CPW1地線上，在MEMS雙端固支梁3下方CPW1信號線兩側(cè)對稱地放置兩個驅(qū)動電極4，驅(qū)動電極4分別通過連接線6引出并連接壓焊塊12；每個所述空氣橋5橫跨于連接線6上，用于實現(xiàn)CPW1地線間的電互聯(lián)，而無需片外鍵合線；每個所述的熱電式MEMS微波功率傳感器7包括耦合端口16-1或隔離端口16-4其中一個端口、兩個負(fù)載電阻10、一個熱電堆和一個MEMS襯底膜15結(jié)構(gòu)；其中，耦合端口16-1并聯(lián)連接兩個負(fù)載電阻10，而隔離端口16-4并聯(lián)連接另外兩個負(fù)載電阻10；兩個相同的熱電堆分別靠近放置在耦合端口16-1和隔離端口16-4處負(fù)載電阻10附近，但不與負(fù)載電阻10接觸；通過體刻蝕技術(shù)，在負(fù)載電阻10和熱電堆的熱端下方刻蝕減薄硅襯底，形成MEMS襯底膜15結(jié)構(gòu)；所述的熱電堆是由N+多晶硅作為熱電堆的半導(dǎo)體臂8和由金屬作為熱電堆的金屬臂9構(gòu)成。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人東南大學(xué)，其通訊地址為：211102 江蘇省南京市江寧區(qū)東南大學(xué)路2號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。