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龍圖騰網恭喜三一硅能(株洲)有限公司申請的專利鈍化接觸結構、太陽能電池及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115312608B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211035765.X，技術領域涉及：H10F77/20；該發明授權鈍化接觸結構、太陽能電池及制備方法是由請求不公布姓名;請求不公布姓名;王治業設計研發完成，并于2022-08-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本鈍化接觸結構、太陽能電池及制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及光伏技術領域，提供一種鈍化接觸結構、太陽能電池及制備方法，其中，鈍化接觸結構包括在硅片基底上層疊設置的隧穿氧化層和摻雜多晶硅層，摻雜多晶硅層為采用一次沉積工藝形成的一體化結構，摻雜多晶硅層遠離隧穿氧化層的表面包括用于設置金屬柵線的第一區域和第一區域之外的第二區域；第二區域的厚度小于所述第一區域的厚度。本發明用以解決現有技術中整體減薄摻雜多晶硅層，影響歐姆接觸的缺陷，實現摻雜多晶硅層厚度的合理設計，減少對光的寄生吸收的同時，提供良好的歐姆接觸，提高太陽能電池轉化效率。

本發明授權鈍化接觸結構、太陽能電池及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種鈍化接觸結構，其特征在于，包括：在硅片基底上層疊設置的隧穿氧化層和摻雜多晶硅層，所述摻雜多晶硅層為采用一次沉積工藝形成的一體化結構，所述摻雜多晶硅層遠離所述隧穿氧化層的表面包括用于設置金屬柵線的第一區域和所述第一區域之外的第二區域；所述第二區域的厚度小于所述第一區域的厚度；所述第二區域的表面具有凹槽，所述凹槽為弧形凹槽；所述一次沉積工藝包括：采用PVD沉積摻雜非晶硅層再高溫退火的工藝；所述采用一次沉積工藝，在所述隧穿氧化層的表面形成一體化結構的摻雜多晶硅層，包括：在所述隧穿氧化層的表面上預設距離處設置用于遮擋所述隧穿氧化層的擋板，所述預設距離是根據所述第二區域的厚度確定的，所述擋板具有遮擋區域和未遮擋區域，所述未遮擋區域的形狀與所述金屬柵線的形狀一致；在設置有所述擋板的所述隧穿氧化層的表面沉積摻雜非晶硅，所述摻雜非晶硅在沉積的過程中，通過所述未遮擋區域形成第一沉積區域，同時，繞過所述遮擋區域形成第二沉積區域，所述第二沉積區域為繞鍍區域，所述第一沉積區域和所述繞鍍區域形成一體化結構的摻雜非晶硅層；擋板包括分散設置的多個擋塊，相鄰設置的擋塊之間通過線束連接；多個擋塊形成遮擋區域，多個擋塊以外的區域形成未遮擋區域；對所述摻雜非晶硅層進行退火處理，形成所述摻雜多晶硅層，所述摻雜多晶硅層中，所述第一區域與所述第一沉積區域對應，所述第二區域與所述繞鍍區域對應。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三一硅能(株洲)有限公司，其通訊地址為：412000 湖南省株洲市石峰區銅塘灣街道銅霞路255號隆信國際1號樓518-50室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。