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龍圖騰網恭喜重慶郵電大學申請的專利一種集成輔助耗盡柵的低功耗RC-IGBT器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115621303B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211392381.3，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種集成輔助耗盡柵的低功耗RC-IGBT器件是由陳偉中;魏子凱;林徐葳設計研發完成，并于2022-11-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種集成輔助耗盡柵的低功耗RC-IGBT器件在說明書摘要公布了：本發明涉及一種集成輔助耗盡柵的低功耗RC?IGBT器件，屬于半導體技術領域。該器件集成的輔助耗盡柵由柵極氧化層、多晶硅柵極組成，其特點在于輔助耗盡柵與主柵短接在一起，對其施加電壓可以耗盡漂移區P柱形成自適應的電阻。本發明的突出優勢主要有兩點。第一，正向導通功耗降相比于傳統SJ?IGBT器件低了21％。第二，關斷損耗相比傳統RC?IGBT器件降低了53％，大幅改善了器件的關斷損耗與通態壓降之間的折中關系。

本發明授權一種集成輔助耗盡柵的低功耗RC-IGBT器件在權利要求書中公布了：1.一種集成輔助耗盡柵的低功耗RC-IGBT器件，其特征在于：包括陰極P+區1、陰極N+區2、陰極P-base區3、漂移區4、陽極N-buffer區5、陽極P-collector區6、柵極氧化層7、多晶硅柵極8、主柵9、場氧化層14、發射極金屬電極15、集電極金屬電極16，其特征在于，該器件還包括輔助耗盡柵10、P柱11、陽極介質隔離槽12、陽極N-collector13；所述陰極P+區1與陰極N+區2相鄰，它們共同位于陰極P-base區3的上方；所述陰極P-base區3的下方為漂移區4；所述柵極氧化層7與陰極P-base區3、漂移區4、P柱11相鄰；所述多晶硅柵極8被柵極氧化層7完全包裹，它們共同組成主柵9；所述陽極P-collector區6位于陽極N-buffer區5下方，陽極N-buffer區5上方為漂移區4；所述輔助耗盡柵10由柵極氧化層7、多晶硅柵極8組成；所述輔助耗盡柵10與主柵9相對，部分P柱11位于它兩之間；所述陽極N-collector13在P柱11的下方；陽極氧化隔離槽12位于陽極N-collector區13與陽極P-collector區6之間；發射極金屬電極15與陰極P+區1、陰極N+區2、P柱11直接接觸，位于它們的上方；發射極金屬電極15右側是場氧化層14；集電極金屬電極16與陽極P-collector區6、陽極介質隔離槽12、陽極N-collector13直接接觸，位于它們的下方。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人重慶郵電大學，其通訊地址為：400065 重慶市南岸區黃桷埡崇文路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。