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龍圖騰網(wǎng)恭喜重慶郵電大學(xué)申請(qǐng)的專利一種集成輔助耗盡柵的低功耗RC-IGBT器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115621303B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202211392381.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)一種集成輔助耗盡柵的低功耗RC-IGBT器件是由陳偉中;魏子凱;林徐葳設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-11-08向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種集成輔助耗盡柵的低功耗RC-IGBT器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種集成輔助耗盡柵的低功耗RC?IGBT器件，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該器件集成的輔助耗盡柵由柵極氧化層、多晶硅柵極組成，其特點(diǎn)在于輔助耗盡柵與主柵短接在一起，對(duì)其施加電壓可以耗盡漂移區(qū)P柱形成自適應(yīng)的電阻。本發(fā)明的突出優(yōu)勢主要有兩點(diǎn)。第一，正向?qū)ü慕迪啾扔趥鹘y(tǒng)SJ?IGBT器件低了21％。第二，關(guān)斷損耗相比傳統(tǒng)RC?IGBT器件降低了53％，大幅改善了器件的關(guān)斷損耗與通態(tài)壓降之間的折中關(guān)系。

本發(fā)明授權(quán)一種集成輔助耗盡柵的低功耗RC-IGBT器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種集成輔助耗盡柵的低功耗RC-IGBT器件，其特征在于：包括陰極P+區(qū)1、陰極N+區(qū)2、陰極P-base區(qū)3、漂移區(qū)4、陽極N-buffer區(qū)5、陽極P-collector區(qū)6、柵極氧化層7、多晶硅柵極8、主柵9、場氧化層14、發(fā)射極金屬電極15、集電極金屬電極16，其特征在于，該器件還包括輔助耗盡柵10、P柱11、陽極介質(zhì)隔離槽12、陽極N-collector13；所述陰極P+區(qū)1與陰極N+區(qū)2相鄰，它們共同位于陰極P-base區(qū)3的上方；所述陰極P-base區(qū)3的下方為漂移區(qū)4；所述柵極氧化層7與陰極P-base區(qū)3、漂移區(qū)4、P柱11相鄰；所述多晶硅柵極8被柵極氧化層7完全包裹，它們共同組成主柵9；所述陽極P-collector區(qū)6位于陽極N-buffer區(qū)5下方，陽極N-buffer區(qū)5上方為漂移區(qū)4；所述輔助耗盡柵10由柵極氧化層7、多晶硅柵極8組成；所述輔助耗盡柵10與主柵9相對(duì)，部分P柱11位于它兩之間；所述陽極N-collector13在P柱11的下方；陽極氧化隔離槽12位于陽極N-collector區(qū)13與陽極P-collector區(qū)6之間；發(fā)射極金屬電極15與陰極P+區(qū)1、陰極N+區(qū)2、P柱11直接接觸，位于它們的上方；發(fā)射極金屬電極15右側(cè)是場氧化層14；集電極金屬電極16與陽極P-collector區(qū)6、陽極介質(zhì)隔離槽12、陽極N-collector13直接接觸，位于它們的下方。

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